[發明專利]電荷泵電路有效
| 申請號： | 201110301129.2 | 申請日： | 2011-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN102355127A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/07 | 分類號： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電荷 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種電荷泵電路，至少包括：
第一組正壓電荷泵，用于產生第一編程高壓，其至少包括串聯的m級電荷泵；
第二組正壓電荷泵，用于產生第二編程高壓，其至少包括串聯的k級電荷泵；以及
負壓電荷泵組，用于產生負高壓，其至少包括串聯的k級電荷泵，
其中，該第二組正壓電荷泵的每級電荷泵均連接一PMOS晶體管源極，每一PMOS晶體管柵極均連接至PMOS管使能信號，該負壓電荷泵組的每級電荷泵均連接一NMOS晶體管漏極，每一NMOS晶體管柵極均連接至一NMOS管使能信號，每一PMOS晶體管漏極與對應的NMOS晶體管源極相互連接，并通過一共用電容接至時鐘信號。
2.如權利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于：該第一組正壓電荷泵自第二級電荷泵輸出的每級電壓分別為該第二組正壓電荷泵的每個PMOS管的N阱提供偏置。
3.如權利要求2所述的電荷泵電路，其特征在于：該負壓電荷泵組的每個NMOS晶體管的深N阱接至同一級PMOS晶體管的N阱，每個NMOS晶體管的源極與P阱連接，襯底接地。
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