[發明專利]只讀存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110301094.2
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103022040A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 王鍇;杜鵬;蔡建祥;許宗能
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L21/8246
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及半導體存儲器，尤其是涉及一種只讀存儲器及其制作方法。

【背景技術】

只讀存儲器(ROM，read?only?memory)是半導體存儲器的一種。顧名思義，只讀存儲器只可以讀取其已存入的信息，而無法對已存入的信息進行擦除或重新寫入。ROM存儲數據穩定，即使在沒有電源支持的情況下，所存的數據也不會丟失。

只讀存儲器包含若干個呈陣列排布，用于儲存信息的存儲單元。目前，市面上較為常見的只讀存儲器為掩模只讀存儲器。該掩模只讀存儲器制作時需要額外的掩模板來形成用于存儲信息的存儲單元。利用此額外的掩模板離子注入形成兩種不同開啟電壓的存儲單元。在讀取信息時，利用介于兩種開啟電壓之間的操作電壓讀取存儲單元信息。例如，讀取時，低于操作電壓的開啟電壓的存儲單元就會開啟有相應的電信號獲得；高于操作電壓的開啟電壓的存儲單元就會處于關閉狀態，沒有電信號獲得。因此，掩模只讀存儲器存儲的信息采用上述方法就可進行有效地讀取。

然而，此種掩模只讀存儲器需要利用到額外的掩模板來形成兩種不同開啟電壓的存儲單元，增加了只讀存儲器的制作成本。

【發明內容】

基于此，本發明提供一種只讀存儲器及其制作方法，可省去傳統掩模只讀存儲器中額外的掩模板，縮短只讀存儲器的制作周期以及制作成本。

一種只讀存儲器，包含若干個陣列排布的存儲單元。只讀存儲器包含兩種不同結構的存儲單元。兩種存儲單元分別為第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源極和漏極同型，第二MOS管的源極和漏極反型。

進一步地，以兩種不同結構的存儲單元均為P型存儲單元為例，第一MOS管的源極和漏極為P型，第二MOS管的漏極為P型、源極為N型。

進一步地，以兩種不同結構的存儲單元均為N型存儲單元為例，第一MOS管的源極和漏極為N型，第二MOS管的漏極為N型、源極為P型。

進一步地，第一MOS管及第二MOS管均設有各自的控制柵極，第一MOS管及第二MOS管的漏極和源極距各自的控制柵極之間均設有輕摻雜漏區。

上述只讀存儲器的制作方法，該只讀存儲器包括存儲單元以及存儲單元周邊的外圍器件，具體包括以下步驟：

步驟1：提供硅襯底，在硅襯底同時形成存儲單元和外圍器件的有源區；

步驟2：在有源區表面形成存儲單元和外圍器件的柵氧介質及控制柵；

步驟3：在控制柵兩側的有源區同時形成存儲單元中第一MOS管的源極和漏極、與第一MOS管的源極同型的第二MOS管的漏極或源極、與第一MOS管的源極同型的所述外圍器件的源極和漏極；

步驟4：在控制柵兩側的有源區同時形成與第一MOS管源極反型的第二MOS管的源極或漏極、與第一MOS管的源極反型的外圍器件的源極和漏極。

進一步地，只讀存儲器的制作方法中步驟3包括以下子步驟：

步驟31：在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；

步驟32：去除即將形成的第一MOS管漏極和源極的區域上的光阻部分，同時去除即將形成的均與第一MOS管源極同型的第二MOS管漏極或源極及外圍器件漏極和源極的區域上的光阻部分；

步驟33：向去除了光阻的區域進行離子注入，形成漏極和源極；

步驟34：去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。

進一步地，步驟32包括以下分步驟：

將第一MOS管漏極及源極的區域以及均與第一MOS管源極同型的所述第二MOS管的漏極的區域或源極區域和外圍器件漏極及源極區域定義在第一漏極及源極掩模板上；

通過第一漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除硅襯底表面對應于第一漏極及源極掩模板定義的漏極區域及源極區域上的光阻部分。

進一步地，只讀存儲器的制作方法中步驟4包括以下子步驟：

步驟41：在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；

步驟42：同時去除即將形成的均與第一MOS管源極反型的第二MOS管源極或漏極和外圍器件源極和漏極的區域上的光阻；

步驟43：向去除了光阻的區域進行與第一MOS管源極反型的離子注入，形成漏極和源極；

步驟44：去除離子注入后殘留在硅襯底表面的光阻。

進一步地，步驟42包括以下分步驟：

提供第二漏極及源極掩模板，將均與第一MOS管的源極反型的第二MOS管的源極區域或漏極區域和外圍器件的源極及漏極區域定義在第二漏極及源極掩模板上；