[發明專利]只讀存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201110301094.2
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103022040A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 王鍇;杜鵬;蔡建祥;許宗能
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L21/8246
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種只讀存儲器，包含若干個陣列排布的存儲單元，其特征在于，所述只讀存儲器包含兩種不同結構的存儲單元；所述兩種不同結構的存儲單元分別為第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的源極和漏極同型，所述第二MOS管的源極和漏極反型。

2.根據權利要求1所述的只讀存儲器，其特征在于，所述兩種不同結構的存儲單元均為P型存儲單元，所述第一MOS管的源極和漏極為P型，所述第二MOS管的漏極為P型、源極為N型。

3.根據權利要求1所述的只讀存儲器，其特征在于，所述兩種不同結構的存儲單元均為N型存儲單元，所述第一MOS管的源極和漏極為N型，所述第二MOS管的漏極為N型、源極為P型。

4.根據權利要求1至3任一項所述的只讀存儲器，其特征在于，所述第一MOS管及所述第二MOS管均設有各自的控制柵極，所述第一MOS管及所述第二MOS管的漏極和源極距各自的所述控制柵極之間均設有輕摻雜漏區。

5.一種如權利要求1所述的只讀存儲器的制作方法，所述只讀存儲器包括存儲單元以及存儲單元周邊的外圍器件，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供硅襯底，在所述硅襯底同時形成所述存儲單元和外圍器件的有源區；

步驟2：在所述有源區表面形成所述存儲單元和所述外圍器件的柵氧介質及控制柵；

步驟3：在所述控制柵兩側的有源區同時形成所述存儲單元中第一MOS管的源極和漏極、與所述第一MOS管的源極同型的第二MOS管的漏極或源極、與所述第一MOS管的源極同型的所述外圍器件的源極和漏極；

步驟4：在所述控制柵兩側的有源區同時形成與所述第一MOS管源極反型的第二MOS管的源極或漏極、與所述第一MOS管的源極反型的所述外圍器件的源極和漏極。

6.根據權利要求5所述的只讀存儲器的制作方法，其特征在于，所述步驟3包括以下子步驟：

步驟31：在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；

步驟32：去除即將形成的所述第一MOS管漏極和源極的區域上的光阻部分，同時去除即將形成的均與所述第一MOS管源極同型的所述第二MOS管漏極或源極及所述外圍器件漏極和源極的區域上的光阻部分；

步驟33：向所述去除了光阻的區域進行離子注入，形成漏極和源極；

步驟34：去除離子注入后殘留在所述硅襯底表面的光阻。

7.根據權利要求6所述的只讀存儲器的制作方法，其特征在于，所述步驟32包括以下分步驟：

提供第一漏極及源極掩模板，將所述第一MOS管漏極及源極的區域以及均與第一MOS管源極同型的所述第二MOS管的漏極的區域或源極區域和所述外圍器件漏極及源極區域定義在所述第一漏極及源極掩模板上；

通過所述第一漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除所述硅襯底表面對應于第一漏極及源極掩模板定義的漏極區域及源極區域上的光阻部分。

8.根據權利要求5所述的只讀存儲器的制作方法，其特征在于，所述步驟4包括以下子步驟：

步驟41：在形成有控制柵的硅襯底表面涂覆光阻；

步驟42：同時去除即將形成的均與所述第一MOS管源極反型的所述第二MOS管源極或漏極和所述外圍器件源極和漏極的區域上的光阻；

步驟43：向所述去除了光阻的區域進行與所述第一MOS管源極反型的離子注入，形成漏極和源極；

步驟44：去除離子注入后殘留在所述硅襯底表面的光阻。

9.根據權利要求8所述的只讀存儲器的制作方法，其特征在于，所述步驟42包括以下分步驟：

提供第二漏極及源極掩模板，將均與所述第一MOS管的源極反型的所述第二MOS管的源極或漏極區域和所述外圍器件的源極及漏極區域定義在所述第二漏極及源極掩模板上；

通過所述第二漏極及源極掩模板，曝光形成有控制柵的硅襯底表面的光阻，顯影去除所述硅襯底表面對應于所述第二漏極及源極掩模板定義的漏極區域及源極區域上的光阻部分。