[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110301069.4
• 申請(qǐng)日: 2011-08-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102694025A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)原士
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.—種半導(dǎo)體元件，其特征在于，具備：

漏極層，具有表面及背面；

漂移區(qū)域，從所述漏極層的表面直到內(nèi)部地、選擇性地設(shè)于所述漏極層；

襯底區(qū)域，從所述漂移區(qū)域的表面直到內(nèi)部地、選擇性地設(shè)于所述漂移區(qū)域；

源極區(qū)域，從所述襯底區(qū)域的表面直到內(nèi)部地、選擇性地設(shè)于所述襯底區(qū)域；

第一、第二金屬層，從所述源極區(qū)域或所述漏極層的至少一方的表面直到內(nèi)部地、選擇性地設(shè)于所述源極區(qū)域或所述漏極層的至少一方；

溝槽狀的柵電極，在與所述漏極層的表面大致平行的方向上，從所述源極區(qū)域的一部分貫通與所述源極區(qū)域的至少一部分鄰接的襯底區(qū)域，并到達(dá)所述漂移區(qū)域的一部分；

源電極，與所述第一金屬層連接；以及

漏電極，與所述漏極層或所述第二金屬層連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述第一金屬層延伸至所述襯底區(qū)域的至少一部分。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述柵電極由金屬材料構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

還具備在所述漂移區(qū)域的表面、且在從所述漏極層表面離開(kāi)的位置上選擇性地設(shè)置并含有比所述襯底區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高濃度的雜質(zhì)的接觸區(qū)域。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中，

還具備從所述漏極層的表面直到內(nèi)部地設(shè)于所述漏極層的絕緣層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中，

包含所述接觸區(qū)域的背面的平面和包含所述絕緣層的背面的平面在與所述平面垂直的方向上分開(kāi)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述漏極層、所述漂移區(qū)域及所述源極區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電型，所述襯底區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電型。

8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述漏極層、所述漂移區(qū)域及所述源極區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電型，所述襯底區(qū)域及所述接觸區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電型。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述漏極層、所述漂移區(qū)域及所述源極區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電型，所述襯底區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電型。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，

所述漏極層、所述漂移區(qū)域及所述源極區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電型，所述襯底區(qū)域及所述接觸區(qū)域?yàn)榈谝灰粚?dǎo)電型。

11.—種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，具有：

在具有表面及背面的漏極層上，從所述漏極層的表面起，在與所述表面垂直的方向上選擇性地形成第一溝槽的工序；

在所述第一溝槽內(nèi)按順序形成漂移區(qū)域、襯底區(qū)域及源極區(qū)域的工序；

在與所述漏極層的表面大致平行的方向上，形成從所述源極區(qū)域的一一部分貫通與所述源極區(qū)域的至少一部分鄰接的襯底區(qū)域并到達(dá)所述漂移區(qū)域的一部分的第二溝槽的工序；

在所述第二溝槽內(nèi)形成柵極絕緣膜的工序；

在所述柵極絕緣膜的表面形成柵電極的工序；

在所述源極區(qū)域或所述漏極層的至少一方的表面上，從所述源極區(qū)域或所述漏極層的至少一方的表面直到內(nèi)部地選擇性地形成第三、第四溝槽的工序；

在所述第三、第四溝槽內(nèi)的至少一方形成第一、第二金屬層的工序；

形成與所述第一金屬層電連接的源電極的工序；以及

形成與所述漏極層或所述第二金屬層電連接的漏電極的工序。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

所述第三溝槽在所述源極區(qū)域及襯底區(qū)域的表面，從所述源極區(qū)域及襯底區(qū)域的表面直到內(nèi)部地選擇性地形成。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

通過(guò)同一工序形成所述第三、第四溝槽。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

通過(guò)同一工序形成所述第一、第二金屬層。

15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

還具有在所述漂移區(qū)域的表面、且在從所述漏極層表面離開(kāi)的位置上選擇性地?fù)诫s雜質(zhì)，并形成含有比所述襯底區(qū)域的雜質(zhì)濃度更高濃度的雜質(zhì)的接觸區(qū)域。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中，

還具有在形成所述第一溝槽之前，在所述漏極層的表面選擇性地形成絕緣膜的工序，

所述第一溝槽在形成所述絕緣膜的區(qū)域以外的區(qū)域形成。