[發(fā)明專利]晶體管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110300269.8
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102315131A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設計）人: 劉正超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶體管的制作方法。

背景技術

在半導體器件中，輕摻雜漏區(qū)(Lightly?Doped?Drain，LDD)結構是MOS(Metal?Oxide?Semiconductor，金屬氧化物半導體)晶體管為了減弱漏區(qū)電場，以克服熱載流效應(Hot?carrier?effect)所采取的一種結構，即在溝道中靠近漏極的附近設置一個低摻雜的漏延伸區(qū)，讓該低摻雜的漏延伸區(qū)也承受部分電壓，從而防止熱載流效應。因此，現(xiàn)有的MOS晶體管制作工藝中一般都要形成LDD結構。

以下以橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，LDMOS)晶體管的制作為例，說明現(xiàn)有技術中包括LDD結構的晶體管的制作過程。

參考圖1所示，提供P型的半導體襯底10；

參考圖2所示，在所述半導體襯底10內形成P型的高壓阱區(qū)11；

參考圖3所示，在所述高壓阱區(qū)11內形成P型的本體區(qū)12和N型的漂移區(qū)13，所述本體區(qū)12和所述漂移區(qū)13相連，且所述漂移區(qū)13的深度大于所述本體區(qū)12的深度；

參考圖4所示，分別在所述本體區(qū)12和漂移區(qū)13中形成淺溝槽隔離結構14，其中位于所述漂移區(qū)13中的兩個淺溝槽隔離結構14之間的區(qū)域界定了漏極區(qū)域；

參考圖5所示，在所述半導體襯底10上形成柵極結構，所述柵極結構包括柵介電層15和柵極16；

參考圖6所示，在所述半導體襯底10上形成圖案化的第一光刻膠23，以所述第一光刻膠23和所述柵極結構為掩模進行輕摻雜離子注入；

參考圖7所示，在本體區(qū)12內形成N型源延伸區(qū)17，且在漂移區(qū)13內形成N型漏延伸區(qū)18，所述源延伸區(qū)17和漏延伸區(qū)18組成LDD結構，且去除所述第一光刻膠23；

參考圖8所示，在所述柵極結構的周圍形成側墻19；

參考圖9所示，在所述半導體襯底10上形成圖案化的第二光刻膠24，以所述第二光刻膠24、所述柵極結構和所述側墻19為掩模進行重摻雜離子注入；

參考圖10所示，在源延伸區(qū)17內形成N型的源區(qū)20，且在漏延伸區(qū)18內形成N型的漏區(qū)21，且去除所述第二光刻膠24；

參考圖11所示，在所述本體區(qū)12內形成P型的體引出區(qū)22。

至此，得到包括LDD結構的N型LDMOS晶體管。

在漏極寬度相同的前提下，比較包括LDD結構的LDMOS晶體管和不包括LDD結構的LDMOS晶體管的電阻率，參考圖12所示，可以發(fā)現(xiàn)：包括LDD結構的LDMOS晶體管的漏極電阻率比較小，即包括LDD結構的LDMOS晶體管漏極的串聯(lián)電阻比較小。

但是在上述制作過程中，為了得到源/漏延伸區(qū)和源/漏區(qū)，需要先形成圖案化的第一光刻膠23，待形成源/漏延伸區(qū)之后去除所述第一光刻膠23；然后形成側墻19；再形成圖案化的第二光刻膠24，待形成源/漏區(qū)之后去除所述第二光刻膠24，所述第一光刻膠23和所述第二光刻膠24基本相同。從而制作步驟比較復雜，LDMOS晶體管的生產(chǎn)成本比較高。

類似地，在其他包括LDD結構的MOS管的制作過程中，為了得到源/漏延伸區(qū)和源/漏區(qū)，也需要先后兩次進行光刻膠的形成和去除步驟。

因此，如何在制作包括LDD結構的MOS管中，減少制作步驟，降低生產(chǎn)成本就成為本領域技術人員亟待解決的問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明解決的問題是提供一種晶體管的制作方法，以簡化步驟，節(jié)省生產(chǎn)成本。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種晶體管的制作方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成柵極結構和位于所述柵極結構側面的側墻；

在所述半導體襯底上形成圖案化的光刻膠層；

以所述光刻膠層、柵極結構和側墻為掩模，在所述半導體襯底內進行輕摻雜離子注入，形成源/漏延伸區(qū)；

以所述光刻膠層、柵極結構和側墻為掩模，在所述源/漏延伸區(qū)內進行重摻雜離子注入，形成源/漏區(qū)。

可選地，所述晶體管為LDMOS晶體管。

可選地，所述晶體管為CMOS(Complementary?Metal-Oxide-Semiconductor?Transistor，互補金屬氧化物半導體)晶體管。

可選地，所述晶體管的源區(qū)和漏區(qū)為非對稱結構。

可選地，所述晶體管的制作方法還包括：形成所述源/漏延伸區(qū)之后，進行退火處理。