[發明專利]晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110300269.8
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102315131A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 劉正超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成柵極結構和位于所述柵極結構側面的側墻；

在所述半導體襯底上形成圖案化的光刻膠層；

以所述光刻膠層、柵極結構和側墻為掩模，在所述半導體襯底內進行輕摻雜離子注入，形成源/漏延伸區；

以所述光刻膠層、柵極結構和側墻為掩模，在所述源/漏延伸區內進行重摻雜離子注入，形成源/漏區。

2.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為LDMOS晶體管。

3.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為CMOS晶體管。

4.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管的源區和漏區為非對稱結構。

5.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：形成所述源/漏延伸區之后，進行退火處理。

6.如權利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：形成所述源/漏區之后，進行退火處理。

7.如權利要求2所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管包括體引出區，所述制作方法還包括：在形成所述源/漏區之后，形成體引出區；在形成所述體引出區之后，進行退火處理。

8.如權利要求2或3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為N型，所述輕摻雜離子為磷離子；所述輕摻雜離子注入的能量范圍包括50keV～100keV，所述輕摻雜離子注入的劑量范圍包括1E13/cm²～1E14/cm²。

9.如權利要求2或3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為N型，所述輕摻雜離子為砷離子；所述輕摻雜離子注入的能量范圍包括90keV～200keV，所述輕摻雜離子注入的劑量范圍包括1E13/cm²～1E14/cm²。

10.如權利要求2或3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為P型，所述輕摻雜離子為硼離子；所述輕摻雜離子注入的能量范圍包括12keV～35keV，所述輕摻雜離子注入的劑量范圍包括1E13/cm²～1E14/cm²。

11.如權利要求2或3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述晶體管為P型，所述輕摻雜離子為銦離子；所述輕摻雜離子注入的能量范圍包括80keV～300keV，所述輕摻雜離子注入的劑量范圍包括1E13/cm²～1E14/cm²。