[發(fā)明專利]修整器裝置及其檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110300143.0 | 申請日： | 2011-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN102343553A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳洪雷;劉波 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/12 | 分類號： | B24B53/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 修整 裝置 及其 檢測 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種修整器裝置及其檢測方法。
背景技術(shù)
在半導體工藝領(lǐng)域，化學機械拋光(Chemical?Mechanical?Polishing，CMP)技術(shù)兼具有機械式拋光與化學式研磨兩種作用，可以使整個晶圓表面達到平坦化，以便于后續(xù)進行薄膜沉積等工藝。在研磨過程中，由于漿料輸送裝置無法使輸送的研磨漿料均勻地分布在所述研磨墊上，從而可能會影響晶圓的研磨效果，因此在現(xiàn)有技術(shù)中，通常在靠近所述研磨墊附近設(shè)置一個或者多個修整器裝置來對所述研磨墊進行修整。所述修整通常為包括：1)通過對所述研磨墊上的研磨漿料分布位置的調(diào)整，使所述研磨漿料均勻地分布在所述研磨墊上；2)在研磨過程中，通過對所述研磨墊隨時修整，從而使所述研磨墊始終保持一種多孔、微觀上凹凸不平的結(jié)構(gòu)，保證其研磨晶圓的效果。更多關(guān)于研磨墊修整器的資料可以參考中國專利申請?zhí)枮?00710184835.7公開的一種化學機械研磨用的研磨墊修整器。
在使用過程中，修整器內(nèi)的圓環(huán)上的隔膜以及控制裝置內(nèi)的連接部件常常會發(fā)生破損，從而影響修整器的正常工作。但是，現(xiàn)有技術(shù)中，由于修整器裝置的條件所限，需要人工逐一拆下隔膜以及各個連接部件，并檢查具體哪個出現(xiàn)破損。這樣的檢測方法往往需要花費大量的時間成本、人力成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是節(jié)省檢測修整器裝置的時間成本和人力成本，提高生產(chǎn)效率。
為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種修整器裝置，包括至少一個修整器和控制裝置；所述控制裝置包括真空測量器、適于將所述真空測量器連通至真空環(huán)境的第一真空管、分別連通至所述至少一個修整器且與所述修整器的數(shù)量匹配的第三真空管、分別連接至所述第三真空且與所述第三真空管的數(shù)量匹配的連接部件、以及連接至所述第一真空管、真空測量器和一個連接部件的第二真空管；還包括在連接部件為兩個以上時連通所述連接部件的中間真空管；其中，所述中間真空管和第二真空管均具有開啟和關(guān)閉兩種狀態(tài)。
可選地，所述第二真空管的長度大于其與第一真空管、真空測量器的連接點和與其連接的連接部件之間的距離。
可選地，在連接部件為兩個以上時所述中間真空管的長度大于其兩端連接的連接部件之間的距離。
可選地，所述修整器的數(shù)量為一個。
可選地，所述修整器的數(shù)量為兩個以上。
可選地，在所述修整器和連接部件之間還設(shè)置有控制閥門，所述控制閥門用于控制所述第三真空管的開啟和關(guān)閉。
根據(jù)本發(fā)明實施例提供的修整器裝置，還提供了一種修整器裝置的檢測方法，包括：確定所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)；
如對真空測量器進行檢測，關(guān)閉所述第二真空管，若所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)沒有改變，則確定所述真空測量器正常；若所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)發(fā)生改變，則確定所述真空測量器異常；
如對任一修整器及其對應(yīng)的連接部件進行檢測，關(guān)閉連接至修整器的第三真空管，且在連接部件為兩個以上時關(guān)閉連接至對應(yīng)該修整器的連接部件的、處于修整器和真空測量器之間的氣路外的中間真空管，若所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)沒有改變，則確定所述連接部件正常，所述修整器異常；若所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)發(fā)生改變，則確定所述連接部件異常。
可選地，關(guān)閉所述第二真空管、關(guān)閉所述中間真空管的方式包括如下任一種：
折疊所述第二真空管、所述中間真空管，以使所述第二真空管、所述中間真空管處于關(guān)閉狀態(tài)；
在所述第二真空管、所述中間真空管上設(shè)置開關(guān)閥門，并將所述開關(guān)閥門調(diào)至關(guān)閉狀態(tài)，以使所述第二真空管、所述中間真空管處于關(guān)閉狀態(tài)。
可選地，所述真空測量器的測量數(shù)據(jù)為第一真空管、第二真空管、第三真空管以及中間真空管內(nèi)的真空壓強值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海宏力半導體制造有限公司，未經(jīng)上海宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110300143.0/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
