[發(fā)明專利]馬鈴薯莖尖脫毒育種方法及雙層培養(yǎng)基無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110299572.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102342248A | 公開(公告)日: | 2012-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李亞雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 金色種業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào): | A01H4/00 | 分類號(hào): | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11129 | 代理人: | 吳小燦 |
| 地址: | 102615 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 馬鈴薯 脫毒 育種 方法 雙層 培養(yǎng)基 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及脫毒育種技術(shù)及固態(tài)組培基質(zhì)技術(shù),特別是一種馬鈴薯莖尖脫毒育種方法及雙層培養(yǎng)基。
背景技術(shù)
采用培養(yǎng)基進(jìn)行馬鈴薯莖尖脫毒育種是國內(nèi)國際應(yīng)用的先進(jìn)技術(shù)。現(xiàn)有培養(yǎng)基技術(shù)分成兩大部分:即組織培養(yǎng)和試管薯誘導(dǎo)出薯兩部分,使用兩種培養(yǎng)基,先用組織培養(yǎng)基培養(yǎng)苗,苗長成后再加入誘導(dǎo)培養(yǎng)基。暗光培養(yǎng)。這種技術(shù)污染率高,損失大,所以國內(nèi)國際均未大規(guī)模使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足,提供一種馬鈴薯莖尖脫毒育種方法及雙層培養(yǎng)基,以提高效率,并降低污染率。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
馬鈴薯莖尖脫毒育種方法,其特征在于,利用雙層培養(yǎng)基植入馬鈴薯莖尖后一次性成苗出試管薯,省卻成苗后的移栽培養(yǎng)步驟;所述雙層培養(yǎng)基包括一個(gè)培養(yǎng)基底層和堆疊在所述底層之上的一個(gè)培養(yǎng)基上層,所述培養(yǎng)基底層為制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基,所述培養(yǎng)基上層為制備好的組織培養(yǎng)基;所述馬鈴薯莖尖植入在組織培養(yǎng)基中成苗;待苗長成后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng),在所述誘導(dǎo)培養(yǎng)基中出試管薯。
所述待苗長成后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng)是指當(dāng)苗長成至預(yù)設(shè)的一定高度后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng)。
所述雙層培養(yǎng)基中每一層都是固態(tài)培養(yǎng)基。
所述雙層培養(yǎng)基被設(shè)置在培養(yǎng)容器內(nèi),在培養(yǎng)容器內(nèi)先裝入制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基形成一個(gè)培養(yǎng)基底層,然后裝入制備好的組織培養(yǎng)基形成一個(gè)培養(yǎng)基上層。
一種雙層培養(yǎng)基,其特征在于,所述雙層培養(yǎng)基包括一個(gè)培養(yǎng)基底層和堆疊在所述底層之上的一個(gè)培養(yǎng)基上層,所述培養(yǎng)基底層為制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基,所述培養(yǎng)基上層為制備好的組織培養(yǎng)基。
利用培養(yǎng)容器制備雙層培養(yǎng)基的方法,其特征在于,將組織培養(yǎng)基和誘導(dǎo)培養(yǎng)基分別制備,先將誘導(dǎo)培養(yǎng)基裝入培養(yǎng)容器滅菌,將滅菌的誘導(dǎo)培養(yǎng)基在無菌室內(nèi)降溫至凝固成固態(tài);再將組織培養(yǎng)基放入生物反應(yīng)器內(nèi)滅菌,待滅菌基質(zhì)降至一定溫度時(shí),在無菌操作條件下將組織培養(yǎng)基放入裝有誘導(dǎo)培養(yǎng)基的容器中,待組織培養(yǎng)基降至常溫時(shí),即得雙層培養(yǎng)基。
所述在無菌室內(nèi)降溫至凝固成固態(tài)是指在無菌室內(nèi)降溫至15℃或以下。
所述待滅菌基質(zhì)降至一定溫度,是指待滅菌基質(zhì)降至50℃或以下。
所述常溫是指20~25℃。
本發(fā)明的技術(shù)效果如下:
該項(xiàng)技術(shù)實(shí)施后,可以降低污染10%以上,同時(shí)節(jié)省勞動(dòng)力20%左右,試管薯結(jié)薯率提高20%左右,試管薯均重提高50%左右。該項(xiàng)技術(shù)實(shí)施后,以全國馬鈴薯7000萬畝計(jì)算,可以節(jié)省土地面積600萬畝左右。
具體實(shí)施方式
馬鈴薯莖尖脫毒育種是國內(nèi)國際應(yīng)用的先進(jìn)技術(shù),現(xiàn)有培養(yǎng)基技術(shù)分成兩大部分:即組織培養(yǎng)和試管薯誘導(dǎo)出薯兩部分,使用兩種培養(yǎng)基,先用組織培養(yǎng)基培養(yǎng)苗,苗長成后再加入誘導(dǎo)培養(yǎng)基。暗光培養(yǎng)。這種技術(shù)污染率高,損失大,所以國內(nèi)國際均未大規(guī)模使用。
本項(xiàng)目發(fā)明使用雙層培養(yǎng)基技術(shù),解決了現(xiàn)有的問題。
具體辦法如下:將組織培養(yǎng)基和誘導(dǎo)培養(yǎng)基分別制備,先將誘導(dǎo)培養(yǎng)基裝入培養(yǎng)容器滅菌,將滅菌的培養(yǎng)基在無菌室內(nèi)降溫到15℃凝固成固態(tài),再將組織培養(yǎng)基放入生物反應(yīng)器內(nèi)滅菌,待滅菌基質(zhì)降至50℃時(shí),在無菌操作條件下將組織培養(yǎng)基分別放入裝有誘導(dǎo)培養(yǎng)基的容器中,待培養(yǎng)基降至常溫(20-25℃),即可接入苗,苗在規(guī)定的溫度、光照、溫度條件下長成至所需高度,直接進(jìn)入暗光培養(yǎng),即可出試管薯。
該項(xiàng)技術(shù)實(shí)施后,可以降低污染10%以上,同時(shí)節(jié)省勞動(dòng)力20%,試管薯結(jié)薯率提高20%,試管薯均重提高50%。該項(xiàng)技術(shù)實(shí)施后,以全國馬鈴薯7000萬畝計(jì)算,可以節(jié)省土地面積600萬畝。
本發(fā)明屬于脫毒育種中的MS雙層固態(tài)組培基質(zhì)設(shè)計(jì)方案。MS培養(yǎng)基中的MS是培養(yǎng)基發(fā)明人穆拉希吉克(Murashige,T.)和斯科克(Skoog,F(xiàn).)的縮寫。MS培養(yǎng)基其特點(diǎn)是無機(jī)鹽和離子濃度較高,是較穩(wěn)定的離子平衡溶液,它的硝酸鹽含量高,其養(yǎng)分的數(shù)量和比例合適,能滿足植物細(xì)胞的營養(yǎng)和生理需要,因而適用范圍比較廣,多數(shù)植物組織培養(yǎng)快速繁殖用它作為培養(yǎng)基的基本培養(yǎng)基。MS固體培養(yǎng)基可用于誘導(dǎo)愈傷組織,也可用于胚、莖段、莖尖及花藥的培養(yǎng),其液體培養(yǎng)基用于細(xì)胞懸浮培養(yǎng)時(shí)能獲得明顯的成功。
本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠參照或參考中華人民共和國農(nóng)業(yè)部發(fā)布的農(nóng)業(yè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),NY/T1212-2006,馬鈴薯脫毒種薯繁育技術(shù)規(guī)程,進(jìn)一步了解本發(fā)明相關(guān)技術(shù)概念。
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