[發(fā)明專利]馬鈴薯莖尖脫毒育種方法及雙層培養(yǎng)基

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110299572.0
• 申請(qǐng)日: 2011-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN102342248A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李亞雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 金色種業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): A01H4/00
• 分類號(hào): A01H4/00
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11129
• 代理人: 吳小燦

1.馬鈴薯莖尖脫毒育種方法，其特征在于，利用雙層培養(yǎng)基植入馬鈴薯莖尖后一次性成苗出試管薯，省卻成苗后的移栽培養(yǎng)步驟；所述雙層培養(yǎng)基包括一個(gè)培養(yǎng)基底層和堆疊在所述底層之上的一個(gè)培養(yǎng)基上層，所述培養(yǎng)基底層為制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基，所述培養(yǎng)基上層為制備好的組織培養(yǎng)基；所述馬鈴薯莖尖植入在組織培養(yǎng)基中成苗；待苗長成后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng)，在所述誘導(dǎo)培養(yǎng)基中出試管薯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的馬鈴薯莖尖脫毒育種方法，其特征在于，所述待苗長成后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng)是指當(dāng)苗長成至預(yù)設(shè)的一定高度后直接進(jìn)入暗光培養(yǎng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的馬鈴薯莖尖脫毒育種方法，其特征在于，所述雙層培養(yǎng)基中每一層都是固態(tài)培養(yǎng)基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的馬鈴薯莖尖脫毒育種方法，其特征在于，所述雙層培養(yǎng)基被設(shè)置在培養(yǎng)容器內(nèi)，在培養(yǎng)容器內(nèi)先裝入制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基形成一個(gè)培養(yǎng)基底層，然后裝入制備好的組織培養(yǎng)基形成一個(gè)培養(yǎng)基上層。

5.一種雙層培養(yǎng)基，其特征在于，所述雙層培養(yǎng)基包括一個(gè)培養(yǎng)基底層和堆疊在所述底層之上的一個(gè)培養(yǎng)基上層，所述培養(yǎng)基底層為制備好的誘導(dǎo)培養(yǎng)基，所述培養(yǎng)基上層為制備好的組織培養(yǎng)基。

6.利用培養(yǎng)容器制備雙層培養(yǎng)基的方法，其特征在于，將組織培養(yǎng)基和誘導(dǎo)培養(yǎng)基分別制備，先將誘導(dǎo)培養(yǎng)基裝入培養(yǎng)容器滅菌，將滅菌的誘導(dǎo)培養(yǎng)基在無菌室內(nèi)降溫至凝固成固態(tài)；再將組織培養(yǎng)基放入生物反應(yīng)器內(nèi)滅菌，待滅菌基質(zhì)降至一定溫度時(shí)，在無菌操作條件下將組織培養(yǎng)基放入裝有誘導(dǎo)培養(yǎng)基的容器中，待組織培養(yǎng)基降至常溫時(shí)，即得雙層培養(yǎng)基。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用培養(yǎng)容器制備雙層培養(yǎng)基的方法，其特征在于，所述在無菌室內(nèi)降溫至凝固成固態(tài)是指在無菌室內(nèi)降溫至15℃或以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用培養(yǎng)容器制備雙層培養(yǎng)基的方法，其特征在于，所述待滅菌基質(zhì)降至一定溫度，是指待滅菌基質(zhì)降至50℃或以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用培養(yǎng)容器制備雙層培養(yǎng)基的方法，其特征在于，所述常溫是指20～25℃。