[發(fā)明專利]靜電放電保護(hù)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110299454.X
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN103035633A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 代萌
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于，該裝置包括：

P型基底；

P型外延層，位于P型基底上；

N型埋層，位于P型基底中、P型外延層之間；

第一N型阱，位于N型埋層上、P型外延層之間；

第一P型阱，位于N型埋層之上，且與第一N型阱相鄰；

第二N型阱，位于N型埋層之上、第一P型阱及P型外延層之間；

ESD摻雜注入層，位于第一P型阱與第一N型阱中；

第一N+型區(qū)，第一P+型區(qū)，位于ESD摻雜注入層中；

第二N+型區(qū)，第二P+型區(qū)，位于ESD摻雜注入層外，并且設(shè)置于與該ESD摻雜注入層導(dǎo)電類型相反的所述第一N型阱或所述第一P型阱中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：ESD摻雜注入層為N型摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：ESD摻雜注入層為P型摻雜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：該靜電放電保護(hù)裝置還包括：

第一電極，與第一N+型區(qū)和第一P+型區(qū)相連接；

第二電極，與第二N+型區(qū)和第二P+型區(qū)相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：靜電放電保護(hù)裝置的觸發(fā)電壓由ESD摻雜注入層的注入能量和劑量決定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：靜電放電保護(hù)裝置的維持電壓由ESD摻雜注入層的尺寸決定。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：該靜電放電保護(hù)裝置系基于外延圓片高壓工藝。

8.一種靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于，該裝置包括：

P型基底；

氧化層，位于P型基底一側(cè)；

第一N型阱，位于氧化層相對于P型基底的另一側(cè)；

第一P型阱，與第一N型阱位于氧化層的同側(cè)，并與第一N型阱相鄰；

第一溝槽，位于氧化層一側(cè)，并且與第一N型阱相鄰；

第二溝槽，與第一溝槽位于氧化層的同側(cè)，并且與第一P型阱相鄰；

ESD摻雜注入層，位于P型阱與第一N型阱中；

第一N+型區(qū)，第一P+型區(qū)，位于ESD摻雜注入層中的一側(cè)；

第二N+型區(qū)，第二P+型區(qū)，位于第一型阱中，該第一型阱位于ESD摻雜注入層外且與ESD摻雜注入層的載流子類型相反。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：該靜電放電保護(hù)裝置包括：

第一電極，與第一N+型區(qū)和第一P+型區(qū)相連接；

第二電極，與第二N+型區(qū)和第二P+型區(qū)相連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：該靜電放電保護(hù)裝置的觸發(fā)電壓由ESD摻雜注入層的注入能量和劑量決定。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的靜電放電保護(hù)裝置，其特征在于：靜電放電保護(hù)裝置的維持電壓由ESD摻雜注入層的尺寸決定。