[發明專利]一種多層單面鋁基線路板及其制造方法有效
| 申請號: | 201110298980.4 | 申請日: | 2011-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102448251A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 秦會斌;鄭鵬;秦惠民 | 申請(專利權)人: | 秦會斌 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;B32B17/04;B32B27/04;B32B15/08;B32B15/20;C08L63/00;C08K13/04;C08K7/14;C08K3/34;C08K3/22;C08K3/36 |
| 代理公司: | 杭州賽科專利代理事務所 33230 | 代理人: | 陳輝 |
| 地址: | 310000 浙江省杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多層 單面 基線 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種多層單面鋁基線路板,尤其涉及一種線路板制造領域的多層單面鋁基線路板及其制造方法。
背景技術
隨著科學技術的迅速發展,人們對電子產品的要求不斷地向性能高、功能多、體積小的方向發展,從而進一步要求提高封裝密度。而單、雙面線路板由于空間的限制,已不可能實現裝配密度的進一步提高,這就給多層線路板提供了發展空間。
單面多層線路板是指由3層以上單線路板組成的、其間以絕緣粘合層相隔,經層壓、粘合而成的線路板,其層間的導電圖形按要求相連。目前,多層線路板已廣泛應用于各種電子設備中,成為電子器件的一個重要組成部分。由于多層線路板的封裝密度很高,密集的安裝了眾多的電子元器件,分布著眾多的線路單元。這就對多層線路板的散熱提出了很高的要求,特別是內層板的熱量必須要先傳導到外層板,然后才能迅速地傳遞出去。否則的話,整個多層板的溫度就會升高,從而影響到線路板的穩定性和電子元器件的使用壽命,進而影響到電子設備的工作穩定性。由于內層板的連接線路很多,電流密度很大,產生很多的熱量,單位時間內需要散發出去的熱量大,原來常用的樹脂類基板遠遠滿足不了散熱要求,?因此現在越來越多地采用金屬基散熱基板。由于金屬鋁板具有體積密度比較小,導熱性能比較好,市場供應比較充足,價格比較低廉,所以金屬基散熱基板的基體材料通常采用鋁板,厚度為0.2~2mm。線路層通常采用厚度為5~105μm的單面銅箔。把銅箔、鋁板通過絕緣粘合劑或者是半固化片在一定的真空度、溫度和壓力條件下,粘合到一起,就形成了單面或雙面鋁基覆銅板。絕緣粘合層的厚度為0.03~0.2mm。單面或雙面覆銅板經過蝕刻加工,形成單面或者是雙面線路板。由于金屬鋁和金屬銅的導熱性能非常好,所以鋁基線路板的導熱性能取決于絕緣粘合層的導熱性能。在剛性多層板的壓合過程中,為了能使各層線路板的結合比較牢固,也需要采用粘合劑或者是由粘合劑加工成的半固化片使其粘合。對于粘合劑或者是半固化片,除了要求其具有良好的粘合性能和良好的絕緣性能外,還要求其良好的導熱性能。只有當粘合層具有良好的導熱性能時,內層板的熱量才能順暢的傳導到外層板,然后才能迅速地傳遞出去。
目前,剛性多層線路板的制造中使用的普通粘合劑或半固化片,只是具有良好的粘合性能和絕緣性能,導熱性能比較差。這就阻礙了內層板的熱量向外層板的傳導,從而使整個線路板的溫度升高。
發明內容
本發明的目的就是解決上述背景技術中存在的問題,提供一種散熱效果好的多層單面鋁基線路板及其制造方法。
為了實現上述目的,本發明采取的技術方案是:
一種多層單面鋁基線路板,由下述方法制備而得:
(1)配制環氧樹脂膠液:將高玻璃化環氧樹脂、酚醛樹脂、二甲基咪唑和丙酮按下述質量組份配制膠液,混合均勻并熟化2~6小時;
高玻璃化環氧樹脂100份;
酚醛樹脂35~100份;
二甲基咪唑0.01~0.1份;
丙酮40~100份;
(2)配制納米無機復合填料:以環氧樹脂的量為基準,將碳化硅、氧化鋁和二氧化硅按下述質量組份配制填料,并混合均勻;
碳化硅20~30份;
氧化鋁10?~20份;
二氧化硅2~8份;
(3)配制高導熱絕緣粘合劑溶液:按下述質量組份將步驟2配制成的納米無機復合填料全部加入到步驟1配制成的環氧樹脂膠液中,混合均勻;
(4)制備半固化片:將玻璃纖維布浸漬步驟3制得的高導熱絕緣粘合劑溶液烘干,制得半固化片,所述的烘干溫度為120~180℃,烘干時間為3~10分鐘,半固化片厚度為0.07~0.073mm;
(5)制備多層單面鋁基線路板:將步驟4制得的若干塊半固化片和銅箔、鋁板按現在通用的方法分別制備內層板、外層板,進行疊合壓制,制得多層單面鋁基板;
優選地,所述步驟3的高導熱絕緣粘合劑溶液由下述質量組份混合而成;
環氧樹脂100份;
納米無機復合填料45份。
優選地,所述碳化硅的納米級為1~100nm。
優選地,所述氧化鋁的納米級為1~100nm。
優選地,所述二氧化硅的納米級為1~100nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于秦會斌,未經秦會斌許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110298980.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





