[發(fā)明專利]一種低充高保IC塑封工藝方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110298384.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102347248A | 公開(公告)日: | 2012-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹陽(yáng)根;廖秋慧;曹雨楠;阮勤超;張霞;唐佳;黃晨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海工程技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;B29C45/26 |
| 代理公司: | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253 | 代理人: | 楊軍 |
| 地址: | 201620 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低充高保 ic 塑封 工藝 方法 | ||
[技術(shù)領(lǐng)域]
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其集成電路的封裝工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體地是一種低充高保IC塑封工藝方法。
[背景技術(shù)]
隨著IC技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)產(chǎn)品可靠性和使用壽命方面的要求不斷提高。新的材料、新的結(jié)構(gòu)和新的工藝技術(shù)的引入使得芯片的集成度不斷提高,封裝尺寸不斷縮小,由各種應(yīng)力引起的可靠性問題影響逐漸增加。
環(huán)氧樹脂(EP)是目前IC塑封的主要材料,塑封料對(duì)半導(dǎo)體硅片、引線框和引線的包封,可以起到保護(hù)IC產(chǎn)品的作用。但是,塑封料和IC結(jié)構(gòu)的緊密接觸,存在相互間的作用力,這種作用力有時(shí)會(huì)對(duì)產(chǎn)品的可靠性、合格率以及使用壽命造成較大的影響。以硅片為例,由于塑封料和硅的線性熱膨脹系數(shù)相差一個(gè)數(shù)量級(jí)(塑封料≈25×10-6℃-1,硅≈2.3×10-6℃-1),當(dāng)溫度變化時(shí),它們的尺寸變化相差會(huì)較大。例如,對(duì)角線為1cm的芯片,溫度每變化1℃,芯片對(duì)角線的長(zhǎng)度可變化2.3×10-2μm;變化100℃,長(zhǎng)度可變化2.3μm。而同樣長(zhǎng)度的塑封料每變化1℃,其長(zhǎng)度將變化25×10-2μm;溫度變化100℃,其長(zhǎng)度將變化25μm。如果塑封料與芯片表面是分離的,塑封料將會(huì)在芯片表面移動(dòng),它的最大位移量將會(huì)大于11.35μm。然而在一般情況下,塑封料是黏附在芯片表面的,它不可能在芯片表面移動(dòng)(但存在這種趨勢(shì))。于是,在芯片和塑封料界面就會(huì)存在剪切應(yīng)力。這個(gè)力可能會(huì)使芯片上附著力弱的金屬化層產(chǎn)生滑移(溫度升高,向芯片邊緣滑移;溫度降低,向芯片中心滑移),造成金屬條間短路或開路;也可能會(huì)使鈍化層或多晶硅層破裂,造成多層金屬化層間短路。另外,塑封料和引線框、金線之間的熱膨脹系數(shù)的失配也會(huì)引起引線框翹曲變形造成電路寄生參數(shù)的改變,或使焊點(diǎn)受到較大的附加拉應(yīng)力而發(fā)生脫焊等可靠性問題。IC產(chǎn)品塑封模具的溫度在165℃左右,加工前后溫差約有150℃,可引起內(nèi)在殘余應(yīng)力。而IC產(chǎn)品的使用環(huán)境溫度在:0℃~70℃(商業(yè)溫度)、-40℃~+85℃(工業(yè)溫度)、-40℃~+125℃(汽車溫度)。大量的失效案例表明在以上3種溫度范圍內(nèi),器件失效的比例都很高。對(duì)失效器件的分析表明,外界的溫度沖擊或低溫環(huán)境造成的塑封材料對(duì)芯片的應(yīng)力是主要機(jī)理。
一般來說,電應(yīng)力、熱應(yīng)力、化學(xué)應(yīng)力、輻射應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力以及其它因素均可導(dǎo)致半導(dǎo)體器件退化或失效,各種應(yīng)力之間互為轉(zhuǎn)換,其中加工和使用過程中的熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力的影響最為顯著。
目前為止,解決的辦法都是用改變添加劑的辦法,降低塑封料的線脹系數(shù),但是由于非金屬材料和金屬材料之間線脹系數(shù)的差別過大,最好的結(jié)果也難以從根本上解決內(nèi)應(yīng)力的問題。而且隨著改性后線脹系數(shù)的減小,塑封料的密度隨之減小,密封效果和傳熱性都有所降低。
[發(fā)明內(nèi)容]
本發(fā)明的目的就是解決上述的不足,提供一種低充高保塑封工藝方法,可以明顯改善塑封內(nèi)應(yīng)力問題。低充指低速充模,可以減小熔融料流在成型流動(dòng)時(shí)對(duì)芯片和金線的沖擊,減少產(chǎn)品內(nèi)在缺陷。高保是指在塑封料固化階段施加很高的保壓壓力。在高壓下塑料固化的實(shí)際收縮率可以為零甚至為負(fù),通過控制型腔壓力,使得塑料的收縮率在合適的范圍內(nèi),在塑封料、芯片、引線和芯片之間達(dá)到熱適配,從而減小產(chǎn)品內(nèi)應(yīng)力,提高IC產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種低充高保IC塑封工藝方法,其具體方法步驟為:
1)、注塑充模階段:所采用的模具具有型腔鑲塊、流道澆口鑲塊、上下模料腔板、液壓注塑頭,把粘合了芯片并鍵合了金線的引線框放入型腔鑲塊平面上,上下模型腔閉合,對(duì)模具型腔加熱到165℃左右,上下模料腔內(nèi)的塑料熔融,液壓注塑頭施壓對(duì)熔融塑料進(jìn)行低速注塑,充滿型腔;
2)、固化保壓階段:對(duì)模具型腔升高壓力,并保持對(duì)熔融塑料施加高壓,在高壓狀態(tài)下,熔融塑料固化成型;
3)、冷卻脫模階段:對(duì)模具型腔進(jìn)行快速冷卻,然后脫模。
所述注塑充模階段的液壓注塑頭的低速充模壓力在2-10MPa之間,所述固化保壓階段的高壓保壓壓力在20-170MPa之間,高壓保壓的壓力控制精度在±0.1MPa之內(nèi)。
所述固化保壓階段模具的溫度在160-175℃范圍內(nèi),保壓結(jié)束后的冷卻脫模階段,模具溫度在36-80℃左右。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海工程技術(shù)大學(xué),未經(jīng)上海工程技術(shù)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110298384.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





