[發明專利]一種低充高保IC塑封工藝方法無效
| 申請號: | 201110298384.6 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102347248A | 公開(公告)日: | 2012-02-08 |
| 發明(設計)人: | 曹陽根;廖秋慧;曹雨楠;阮勤超;張霞;唐佳;黃晨 | 申請(專利權)人: | 上海工程技術大學 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;B29C45/26 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 楊軍 |
| 地址: | 201620 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低充高保 ic 塑封 工藝 方法 | ||
1.一種低充高保IC塑封工藝方法,其具體方法步驟為:
1)、注塑充模階段:所采用的模具具有型腔鑲塊、流道澆口鑲塊、上下模料腔板、液壓注塑頭,把粘合了芯片并鍵合了金線的引線框放入型腔鑲塊平面上,上下模型腔閉合,對模具型腔加熱到165℃左右,上下模料腔內的塑料熔融,液壓注塑頭施壓對熔融塑料進行低速注塑,充滿型腔;
2)、固化保壓階段:對模具型腔升高壓力,并保持對熔融塑料施加高壓,在高壓狀態下,熔融塑料固化成型;
3)、冷卻脫模階段:對模具型腔進行快速冷卻,然后脫模。
2.根據權利要求1所述低充高保IC塑封工藝方法,其特征是:所述注塑充模階段的液壓注塑頭的低速充模壓力在2-10MPa之間,所述固化保壓階段的高壓保壓壓力在20-170MPa之間,高壓保壓的壓力控制精度在±0.1MPa之內。
3.根據權利要求1或2所述低充高保IC塑封工藝方法,其特征是:所述固化保壓階段模具的溫度在160-175℃范圍內,保壓結束后的冷卻脫模階段,模具溫度在36-80℃左右。
4.一種低充高保IC塑封模具,包括上模底板、上模板、上模盒、下模底板、下模板、下模盒、注頭、高壓注塑油缸、加熱器及控溫系統,上模板(03)固定有上模盒(04),下模板(08)固定有下模盒(07),其特征在于:上模盒上設有型腔鑲塊(05),所述型腔鑲塊的中心部位設有上模料腔板(28),所述下模盒上也設有型腔鑲塊,所述型腔鑲塊的中心部位設有下模料腔板(12),所述下模料腔板下方設有下模注頭襯套(15),所述下模注頭襯套內滑配有注頭(16),所述注頭下端配合連接高壓注塑油缸(17)。
5.根據權利要求4所述低充高保IC塑封模具,其特征是:所述上模板與上模盒之間裝有上模支撐柱(33),所述下模板與下模盒之間裝有下模支撐柱(14)。
6.根據權利要求4或5所述低充高保IC塑封模具,其特征是:所述上模盒與下模盒外圍設有隔熱板(37),所述上模板上端面裝有上模隔熱板(02),所述下模板的下端面裝有下模隔熱板(09)。
7.根據權利要求6所述低充高保IC塑封模具,其特征是:所述注頭下端通過注頭快捷連接器(22)連接高壓注塑油缸(17)。
8.根據權利要求7所述低充高保IC塑封模具,其特征是:所述下模底板上裝有傳力板導向機構,所述傳力板導向機構包括下模傳力板(13)、傳力板導向滑塊(20)及傳力板導向座(21)。
9.根據權利要求8所述低充高保IC塑封模具,其特征是:所述上模盒與下模盒處設有快速冷卻機構,所述快速冷卻機構由電路連接控溫系統。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





