[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110298139.5
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN103035566A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制造方法，包括前道制程、后道制程和固定步驟，所述前道制程和后道制程同時進行，其中，

所述前道制程包括：

提供一半導體襯底，形成核心電路，所述核心電路上形成有引出連線層；

在所述半導體襯底的核心電路旁形成第一穿透硅通孔；

在所述第一穿透硅通孔中形成第一通孔金屬層；

所述后道制程包括：

提供一基底，由下至上依次形成頂層互連層至底層互連層，所述底層互連層與所述核心電路的引出連線層位置相適配；

在所述基底上形成第二穿透硅通孔，所述第二穿透硅通孔與所述頂層互連層中金屬連線連通，且所述第二穿透硅通孔與所述第一穿透硅通孔相適配；

在所述第二穿透硅通孔中形成第二通孔金屬層；

所述固定步驟包括：

將所述基底倒置于所述半導體襯底上，使所述第一通孔金屬層與所述第二通孔金屬層相連接，并使所述底層互連層的金屬引線與所述引出連線層的金屬連線的相連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第一通孔金屬層之后，對所述引出連線層的隔離介質層進行回刻蝕工藝，露出部分所述第一通孔金屬層和引出連線層的金屬引線；

在形成所述第二通孔金屬層之后，對所述底層互連層進行回刻蝕工藝，露出部分所述第二通孔金屬層和所述底層互連層的金屬引線；

在將所述基底倒置于所述半導體襯底之后，向所述底層互連層與所述引出連線層之間通入有機聚合物，以固定所述底層互連層與所述引出連線層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述有機聚合物為樹脂材料。

4.如權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一通孔金屬層與所述第二通孔金屬層采用電鍍的方法形成。

5.如權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一穿透硅通孔和所述第二穿透硅通孔的孔徑為300nm～3000nm。

6.如權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底的遠離核心電路的一面上形成有氮化硅停止層，在所述核心電路一側形成第一穿透硅通孔的步驟中，刻蝕所述半導體襯底，停止于所述氮化硅停止層上。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述第一通孔金屬層形成之后，采用濕法刻蝕去除所述氮化硅停止層。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述氮化硅停止層的厚度為3000nm～7000nm。

9.如權利要求1或2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述基底的材料為硅、鍺或硅鍺化合物中的一種或其組合。