[發(fā)明專利]雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐及其使用方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110297917.9
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102352529A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊永錄;葛亮;賴章田;賀賢漢
• 申請（專利權(quán)）人: 上海漢虹精密機(jī)械有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 上海德昭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204
• 代理人: 繆利明

1.雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，包括：

主機(jī)架；

下爐體，所述下爐體設(shè)置在所述主機(jī)架上；

其特征在于，所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還包括雙上爐體組件，所述雙上爐體組件包括兩個分立設(shè)置的左上爐體及右上爐體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述左上爐體包括：

左上爐筒；

左籽晶頭單元，所述左籽晶頭單元設(shè)置在所述左上爐筒的一端；

左上爐體晶棒定位裝置，所述左上爐體晶棒定位裝置設(shè)置在所述左上爐筒的外側(cè)；

左上爐隔離閥，所述左上爐隔離閥設(shè)置在所述左上爐筒的另外一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述左上爐體及所述右上爐體為對稱設(shè)計。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述左上爐體、所述右上爐體及下爐體分別通過左上爐體提升裝置、右上爐體提升裝置及下爐體提升裝置與所述主機(jī)架連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述下爐體包括：

下爐筒，所述下爐筒與所述主機(jī)架連接；

下爐蓋，所述下爐蓋設(shè)置在所述下爐筒的上端；

豎直隔離閥，所述豎直隔離閥設(shè)置在所述下爐筒的上端，所述下爐筒及所述左上爐筒通過所述豎直隔離閥及所述左上爐隔離閥連接；

連續(xù)加料裝置接口，所述連續(xù)加料裝置接口與所述下爐蓋連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還進(jìn)一步包括設(shè)置在所述上爐體組件后端的氣體裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述氣體裝置包括：

真空單元，所述真空單元包括相互分立設(shè)置的左上爐體真空單元、右上爐體真空單元及下爐體真空單元，所述左上爐體真空單元、所述右上爐體真空單元及所述下爐體真空單元分別與所述左上爐筒、所述右上爐筒及下爐筒連接；

氬氣單元，所述氬氣單元與所述真空單元分立設(shè)置，所述氬氣單元設(shè)置在所述與所述左上爐筒、所述右上爐筒及下爐筒連接；

水冷單元，所述水冷單元與所述下爐筒組件及雙上爐體組件連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐，其特征在于，所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還進(jìn)一步包括設(shè)置在所述下爐筒下端的爐體升降單元。

9.雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐的使用方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步，在所述下爐筒內(nèi)放置原料，所述下爐筒與所述左上爐筒連接，加工第一根晶棒；

第二步，將完成加工的第一根晶棒提拉至所述左上爐筒內(nèi)，通過所述左上爐隔離閥封閉所述左上爐筒，并對所述左上爐筒進(jìn)行抽真空及充入氬氣；

第三步，通過所述右上爐隔離閥封閉所述右上爐筒，并且將所述右上爐筒與所述下爐筒對接；

第四步，通過所述連續(xù)加料裝置接口往所述下爐筒添加原料；

第五步，通過所述右上爐筒完成第2根晶棒的加工。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐的使用方法，其特征在于，所述第三步中，將所述右上爐筒與所述下爐筒對接后需要等到將所述右上爐筒及所述下爐筒壓力相等后，再開啟所述右上爐體隔離閥與豎直隔離閥。