[發(fā)明專利]雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐及其使用方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110297917.9 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102352529A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊永錄;葛亮;賴章田;賀賢漢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海漢虹精密機(jī)械有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B15/00 | 分類號(hào): | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 上海德昭知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204 | 代理人: | 繆利明 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙上爐體 連續(xù) 加料 硅單晶爐 及其 使用方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及CZ法拉制單晶棒設(shè)備部件,特別是一種雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐及其使用方法。
背景技術(shù)
硅單晶爐是運(yùn)用CZ法拉制硅單晶棒的一種重要設(shè)備,幾乎所有硅單晶硅棒都是硅單晶爐生產(chǎn)出來(lái)的。硅棒拉制完畢后必須在爐內(nèi)冷卻至300℃以下才能出爐,這個(gè)過(guò)程需要大致6個(gè)小時(shí)左右。在晶棒冷卻的過(guò)程中,爐內(nèi)溫度降低導(dǎo)致石英坩堝不可避免的出現(xiàn)破裂。坩堝的更換及二次加料必須在中爐筒內(nèi)溫度冷卻至200以下時(shí)進(jìn)行。開發(fā)一種可以實(shí)現(xiàn)一只石英坩堝被連續(xù)使用兩次以上,不打開上爐蓋即可實(shí)現(xiàn)二次加料的新型硅單晶爐就成為急需解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種石英坩堝可續(xù)使用兩次以上,并且在不打開上爐蓋的情況下即可實(shí)現(xiàn)二次加料的雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐及其使用方法。
本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐,包括:主機(jī)架;下爐體,所述下爐體設(shè)置在所述主機(jī)架上;所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還包括雙上爐體組件,所述雙上爐體組件包括兩個(gè)分立設(shè)置的左上爐體及右上爐體。
所述左上爐體包括:左上爐筒;左籽晶頭單元,所述左籽晶頭單元設(shè)置在所述左上爐筒的一端;左上爐體晶棒定位裝置,所述左上爐體晶棒定位裝置設(shè)置在所述左上爐筒的外側(cè);左上爐隔離閥,所述左上爐隔離閥設(shè)置在所述左上爐筒的另外一端。
所述左上爐體及所述右上爐體為對(duì)稱設(shè)計(jì)。所述左上爐體、所述右上爐體及下爐體分別通過(guò)左上爐體提升裝置、右上爐體提升裝置及下爐體提升裝置與所述主機(jī)架連接。所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還進(jìn)一步包括設(shè)置在所述下爐筒下端的爐體升降單元。
所述下爐體包括:下爐筒,所述下爐筒與所述主機(jī)架連接;下爐蓋,所述下爐蓋設(shè)置在所述下爐筒的上端;豎直隔離閥,所述豎直隔離閥設(shè)置在所述下爐筒的上端,所述下爐筒及所述左上爐筒通過(guò)所述豎直隔離閥及所述左上爐隔離閥連接;連續(xù)加料裝置接口,所述連續(xù)加料裝置接口與所述下爐蓋連接。
所述雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐還進(jìn)一步包括設(shè)置在所述上爐體組件后端的氣體裝置。
所述氣體裝置包括:真空單元,所述真空單元包括相互分立設(shè)置的左上爐體真空單元、右上爐體真空單元及下爐體真空單元,所述左上爐體真空單元、所述右上爐體真空單元及所述下爐體真空單元分別與所述左上爐筒、所述右上爐筒及下爐筒連接;氬氣單元,所述氬氣單元與所述真空單元分立設(shè)置,所述氬氣單元設(shè)置在所述與所述左上爐筒、所述右上爐筒及下爐筒連接;水冷單元,所述水冷單元與所述下爐筒組件及雙上爐體組件連接。
雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐的使用方法,包括如下步驟:
第一步,在所述下爐筒內(nèi)放置原料,所述下爐筒與所述左上爐筒連接,加工第一根晶棒;
第二步,將完成加工的第一根晶棒提拉至所述左上爐筒內(nèi),通過(guò)所述左上爐隔離閥封閉所述左上爐筒,并對(duì)所述左上爐筒進(jìn)行抽真空及充入氬氣;
第三步,通過(guò)所述右上爐隔離閥封閉所述右上爐筒,并且將所述右上爐筒與所述下爐筒對(duì)接;
第四步,通過(guò)所述連續(xù)加料裝置接口往所述下爐筒添加原料;
第五步,通過(guò)所述右上爐筒完成第2根晶棒的加工。
所述第三步中,將所述右上爐筒與所述下爐筒對(duì)接后需要等到將所述右上爐筒及所述下爐筒壓力相等后,再開啟所述右上爐體隔離閥與豎直隔離閥。
本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐可以實(shí)現(xiàn)在不更換石英坩堝及不開爐的情況下進(jìn)行二次連續(xù)加料及硅單晶棒的拉制,從而從節(jié)能、節(jié)約坩堝、及節(jié)約時(shí)間上降低硅單晶棒的生產(chǎn)成本。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐結(jié)構(gòu)側(cè)示圖;
圖3為本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐使用方法流程圖;
本發(fā)明雙上爐體連續(xù)加料硅單晶爐及其使用方法附圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明:
1-左籽晶頭單元????????????2-右籽晶頭單元
3-左上爐筒????????????????4-右上爐筒
5-左上爐體晶棒定位裝置????6-右上爐體晶棒定位裝置
7-左上爐隔離閥????????????8-右上爐隔離閥
9-豎直隔離閥??????????????10-左上爐體提升裝置
11-右上爐體提升裝置???????12-連續(xù)加料裝置接口
13-上爐蓋?????????????????14-下爐筒
15-下爐體提升裝置?????????16-下爐體真空單元
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