[發明專利]一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法

無效

• 申請號: 201110297674.9
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102339910A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 薛泳波;李鵬;林宏達;王恩忠;甄雁卉
• 申請（專利權）人: 牡丹江旭陽太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務所 23205
• 代理人: 張雨紅

技術領域

本發明涉及太陽能應用技術領域，具體涉及一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法。

背景技術

非晶硅薄膜太陽電池作為第三代太陽電池，由于其價格低、無污染、弱光響應好等諸多優勢，在太陽能領域里受到了人們越來越多的關注。但是由于轉換效率低，安裝相同瓦數的電池占地面積要比晶硅大很多，在土地日益稀缺的今天該缺點顯得尤為突出。如何提高非晶硅太陽電池單位面積上的發電量就成為現在亟待解決的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種可提高組件發電量的非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法。

本發明的技術解決方案是：一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法，電池組件是按TCO玻璃層、非晶硅層、AZO膜層、PVB膠層、鋼化玻璃層、AZO膜層、非晶硅層、TCO層和聚酰亞胺PI層依次排列，制備方法包括以下步驟：

a.????選取TCO玻璃，進行激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，對非晶硅層進行激光劃刻；

b.????SPUTTER工藝腔室壓強控制在（1～1.5）*10^-6mbar，AZO靶材與電池基板間距80～90mm，通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300～350slh，濺射AZO膜，膜厚500～600nm；

c.????激光劃刻AZO背電極，使整個電池的發電層與前后電極導通，在背電極側焊接電池正負引線，并將引線引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0.6～0.8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進行層壓；

d.????在鋼化玻璃一側沉積AZO膜層，膜厚500～600nm，激光劃刻AZO層；

e.????送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為n層、i層和p層，n層厚度30～50nm，i層厚度200～300nm，p層厚度10～20nm，激光劃刻非晶硅層；

f.????沉積TCO層，厚度700～800nm，激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導通，在TCO膜層焊接電極引線，引至電池板上沿與前側電池電極并聯后接至接線盒；

TCO上方使用聚酰亞胺PI透明基片進行封裝，兩塊電池引線串聯后引入接線盒。

本發明的技術效果是：它可有效提高非晶硅太陽電池單位面積上的發電量，使其應用的范圍更加廣泛。

具體實施方式

一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法，屬于太陽能領域。該方法是在制備完第一塊非晶硅薄膜太陽電池之后，在背板鋼化玻璃后倒序沉積另一塊非晶硅電池，兩塊電池的電極并聯后引至組件上方的接線盒，背側電池受光面與前側太陽電池相反，從而使整個電池模組達到雙面可發電的效果，提高了非晶硅電池單位面積上的發電量。包括以下步驟：

a.????選取透光率超過90%以上的TCO玻璃，進行第一次激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，而后對非晶硅層進行第二次激光劃刻；

b.????SPUTTER工藝腔室壓強控制在（1～1.5）*10^-6mbar，AZO靶材與電池基板間距80～90mm，通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300～350slh，濺射AZO膜，膜厚500～600nm；

c.????激光劃刻AZO背電極，使整個電池的發電層與前后電極導通，在背電極側焊接電池正負引線，并將引線引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0.6～0.8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進行層壓；

d.????在鋼化玻璃一側利用濺射工藝沉積AZO膜層，膜厚500～600nm，激光劃刻AZO層；

e.????送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為n層、i層和p層，n層厚度30～50nm，i層厚度200～300nm，p層厚度10～20nm，激光劃刻非晶硅層；

f.????利用LPCVD技術沉積TCO層，厚度700～800nm。激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導通。在TCO膜層焊接電極引線，引至電池板上沿與前側電池電極并聯后接至接線盒；

g.????TCO上方使用透光率為90%～93%的聚酰亞胺PI透明基片進行封裝；

兩塊電池引線串聯后引入接線盒，接線盒焊接于整個電池組件的上沿。