[發明專利]一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法

無效

• 申請號: 201110297674.9
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102339910A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 薛泳波;李鵬;林宏達;王恩忠;甄雁卉
• 申請（專利權）人: 牡丹江旭陽太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務所 23205
• 代理人: 張雨紅

1.一種非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法，其特征在于，電池組件是按TCO玻璃層、非晶硅層、AZO膜層、PVB膠層、鋼化玻璃層、AZO膜層、非晶硅層、TCO層和聚酰亞胺PI層依次排列，制備方法包括以下步驟：

a、選取TCO玻璃，進行激光劃刻后送入PECVD，沉積非晶硅層，對非晶硅層進行激光劃刻；

b、SPUTTER工藝腔室壓強控制在（1～1.5）*10^-6mbar，AZO靶材與電池基板間距80～90mm，通入純度4N5以上的Ar氣體，流量為300～350slh，濺射AZO膜，膜厚500～600nm；

c、激光劃刻AZO背電極，使整個電池的發電層與前后電極導通，在背電極側焊接電池正負引線，并將引線引至電池板上沿，電池后鋪PVB膠，厚度為0.6～0.8mm，疊片背板鋼化玻璃后送入高壓釜進行層壓；

d、在鋼化玻璃一側沉積AZO膜層，膜厚500～600nm，激光劃刻AZO層；

e、送入PECVD沉積非晶硅層，沉積順序依次為n層、i層和p層，n層厚度30～50nm，i層厚度200～300nm，p層厚度10～20nm，激光劃刻非晶硅層；

f、沉積TCO層，厚度700～800nm，激光劃刻TCO層，使其與非晶硅、AZO層形成電路導通，在TCO膜層焊接電極引線，引至電池板上沿與前側電池電極并聯后接至接線盒；

g、TCO上方使用聚酰亞胺PI透明基片進行封裝，兩塊電池引線串聯后引入接線盒。

2.如權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法，其特征在于，所述步驟a中選取TCO玻璃透光率超過90%。

3.如權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽電池組件的制備方法，其特征在于，所述步驟g中的聚酰亞胺PI透明基片透光率為90%～93%。