[發(fā)明專利]晶圓彎曲度測算方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110296332.5 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102394225A | 公開(公告)日: | 2012-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 傅榮顥;劉瑋蓀 | 申請(專利權(quán))人: | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B21/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 彎曲 測算 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及晶圓彎曲度(Wafer?Bow)測算方法。
背景技術(shù)
集成電路制造過程中,常對晶圓進(jìn)行減薄工藝處理,例如化學(xué)機(jī)械研磨工藝等,但在晶圓減薄工藝中,常出現(xiàn)越靠近晶圓中心,減薄厚度越大,晶圓表面形成下凹淺碗狀的現(xiàn)象,對晶圓造成負(fù)面影響。業(yè)內(nèi)通常采用參數(shù)Wafer?Bow來評估下凹程度,所述Wafer?Bow是指減薄后晶圓表面最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的垂直距離。
由于Wafer?Bow直接關(guān)系到晶圓性能,業(yè)內(nèi)提供多種Wafer?Bow測算方法,但這些測算方法只能在減薄完成后才能測算出Wafer?Bow,因此亟需在減薄工藝前就能夠測算出Wafer減薄后其Wafer?Bow的方案,以避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer?Bow過大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了Wafer?Bow測算方法,以在減薄工藝前就測算出Wafer?Bow,避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer?Bow不符合要求帶來的各類損失。
本發(fā)明提供的一種Wafer?Bow測算方法,包括步驟:
獲得減薄前Wafer的曲面半徑R0及減薄后wafer的計劃厚度T;
根據(jù)所述曲面半徑R0和計劃厚度T,計算出減薄后wafer的Wafer?Bow為t1,該計算所采用的模型為:t1=[R0T2-(R02T4-r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58,其中T0為減薄前晶圓厚度,r為晶圓半徑,C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度。
通過上述方案,本發(fā)明能夠在減薄工藝前就測算出Wafer?Bow,避免減薄工藝完成后才發(fā)現(xiàn)Wafer?Bow不符合要求帶來的各類損失。
在測算出Wafer?Bow后,還可以根據(jù)計算出的Wafer?Bow判斷減薄前工藝是否適合該晶圓產(chǎn)品,例如如果Wafer?Bow過高,則可能說明該減薄前工藝不適合該晶圓產(chǎn)品,需要對減薄前工藝進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的Wafer?Bow測算方法流程示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合圖1給出一個具體實(shí)施方案。
步驟a1,獲得減薄前Wafer的曲面半徑R0,該曲面半徑R0可以通過薄膜應(yīng)力量測機(jī)臺直接測量獲取。
步驟a2,獲得減薄后wafer的計劃厚度T,該厚度是工藝設(shè)定的減薄后wafer厚度,和具體工藝有關(guān)。
步驟a3,將曲面半徑R0、計劃厚度T及常量參數(shù)代入模型,[R0T2-(R02T4-r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58計算出Wafer?Bow?t1,其中T0為減薄前晶圓厚度,r為晶圓半徑,C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度,對于特定尺寸的晶圓,其值為常數(shù),例如對于8寸晶圓,C約0.11,對于6寸和12寸的晶圓,也各自對應(yīng)有C值。
通過上述步驟,即可計算出Wafer?Bow?t1,以便判斷減薄工藝完成后,Wafer?Bow是否符合要求,通常可以判斷三種情況:
1)減薄工藝完成后Wafer?Bow是否超過分片機(jī)的設(shè)定極限值,以及在不超過的情況下,可以進(jìn)行減薄工藝,其中所述分片機(jī)的設(shè)定極限值是由于每種機(jī)臺對硅片彎曲度都有最大容忍極限,硅片彎曲度超過機(jī)臺設(shè)定的極限值值會導(dǎo)致撞片。
2)是否超過晶圓設(shè)計值,以及在不超過的情況下,進(jìn)行減薄工藝。
3)減薄前工藝是否適合該工藝產(chǎn)品,在不適合的情況下,優(yōu)化減薄前工藝參數(shù)。
本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方案能夠避免減薄工藝完成后才能測算Wafer?Bow,可能引起的各類損失。
顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110296332.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





