[發(fā)明專利]晶圓彎曲度測(cè)算方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110296332.5
• 申請(qǐng)日: 2011-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102394225A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅榮顥;劉瑋蓀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01B21/20
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種Wafer?Bow測(cè)算方法，其特征在于，包括步驟：

獲得減薄前Wafer的曲面半徑R₀及減薄后wafer的計(jì)劃厚度T；

根據(jù)所述曲面半徑R₀和計(jì)劃厚度T，計(jì)算出減薄后wafer的Wafer?Bow為t₁，該計(jì)算所采用的模型為：t₁＝[R₀T²-(R₀²T⁴-r²T₀⁴)^1/2]/T₀²+C(T₀/T)^1.58，其中T₀為減薄前晶圓厚度，r為晶圓半徑，C為減薄前由晶圓重力而產(chǎn)生的晶圓彎曲度。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)算方法，其特征在于，還包括步驟：

判斷Wafer?Bow是否高于Sorter?Limit；以及在否的情況下，進(jìn)行減薄工藝。

3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)算方法，其特征在于，還包括步驟：

判斷Wafer?Bow是否高于晶圓設(shè)計(jì)值；以及在否的情況下，進(jìn)行減薄工藝。

4.如權(quán)利要求2或3所述的測(cè)算方法，其特征在于，在判斷結(jié)果為是的情況下，優(yōu)化減薄前工藝參數(shù)。