[發(fā)明專利]有效薄層電荷密度獲取方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110296324.0 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102313867A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡志遠 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R29/24 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有效 薄層 電荷 密度 獲取 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，包括：
使所述晶體管承受相同的輻射，并在不同的襯底偏置條件下，分別測量每一次在輻射前后的閾值電壓值；
獲取所述晶體管在輻射前后的閾值電壓偏移值；
根據(jù)所述閾值電壓偏移值之差以及其對應的襯底偏置條件，獲取沿STI側墻的有效薄層電荷密度。
2.如權利要求1所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述施加不同的襯底偏置條件包括使得所述晶體管具有不同的耗盡層最大寬度。
3.如權利要求2所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述施加不同的襯底偏置條件包括施加不同的基源電壓。
4.如權利要求2所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述根據(jù)閾值電壓偏移值之差以及其對應的襯底偏置條件，獲取沿STI側墻的有效薄層電荷密度包括：所述有效薄層電荷密度與所述晶體管的不同耗盡層最大寬度的差值成反比，并且所述有效薄層電荷密度與所述晶體管的閾值電壓偏移值之差成正比。
5.如權利要求4所述的有效薄層電荷密度獲取方法，其特征在于，所述有效薄層電荷密度為柵氧化層單位電容、所述晶體管的閾值電壓偏移值之差和溝道寬度的乘積與電子電量和耗盡層最大寬度之差的乘積的兩倍的比值。
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