[發(fā)明專利]數(shù)字微鏡器件及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110296196.X | 申請(qǐng)日: | 2011-09-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102360120A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 毛劍宏;唐德明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B26/08 | 分類號(hào): | G02B26/08;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)張江*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)字 器件 及其 形成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及投影儀技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及數(shù)字微鏡器件及其形成方法。
背景技術(shù)
DMD(digital?mirror?device)數(shù)字微鏡器件是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu) 電路單元(MEMS?superstructure?cell),它是利用CMOS?SRAM記憶晶胞所制 成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始,再透過(guò)光罩層的使 用,制造出鋁導(dǎo)電層和硬化光阻層(hardened?photoresist)交替的上層結(jié)構(gòu),鋁 導(dǎo)電層包括地址電極(address?electrode)、絞鏈(hinge)、軛(yoke)和反光鏡, 硬化光阻層則作為犧牲層(sacrificial?layer),用來(lái)形成空氣間隔(air?gaps)。鋁 導(dǎo)電層經(jīng)過(guò)濺鍍沉積(sputter-deposited)以及電漿蝕刻(plasma-etched) 處理形成地址電極(address?electrode)、絞鏈(hinge)、軛(yoke)和反光鏡;犧 牲層則經(jīng)過(guò)電漿去灰(plasma-ashed)處理,以便制造出層間的空氣間隙。每 個(gè)反光鏡都能將光線從兩個(gè)方向反射出去,實(shí)際反射方向則視底層記憶晶胞 的狀態(tài)而定;當(dāng)記憶晶胞處于「ON」?fàn)顟B(tài)時(shí),反光鏡會(huì)旋轉(zhuǎn)至+12度,記憶 晶胞處于「OFF」?fàn)顟B(tài),反光鏡會(huì)旋轉(zhuǎn)至-12度。只要結(jié)合DMD以及適當(dāng)光源 和投影光學(xué)系統(tǒng),反光鏡就會(huì)把入射光反射進(jìn)入或是離開(kāi)投影鏡頭的透光孔, 使得「ON」?fàn)顟B(tài)的反光鏡看起來(lái)非常明亮,「OFF」?fàn)顟B(tài)的反光鏡看起來(lái)就 很黑暗。利用二位脈沖寬度調(diào)變可以得到灰階效果,如果使用固定式或旋轉(zhuǎn) 式彩色濾鏡,再搭配一顆或三顆DMD芯片,即可得到彩色顯示效果。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種數(shù)字微鏡的立體分解圖,參考圖1,現(xiàn)有技術(shù)的 數(shù)字微鏡形成在基底10上,其中基底10上形成有CMOS電路結(jié)構(gòu),該CMOS電 路結(jié)構(gòu)為微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡包括:反光鏡11、位 于所述反光鏡11下方且與所述反光鏡11相對(duì)的軛板(yoke)12,鉸鏈13,在 所述反光鏡11和軛板12之間具有電勢(shì)差時(shí),軛板12與所述反光鏡11之間具有 靜電力,所述反光鏡11可繞所述鉸鏈13旋轉(zhuǎn)預(yù)定的角度。反光鏡11具有反光 鏡支柱111,反光鏡11通過(guò)反光鏡支柱111與鉸鏈13連接。數(shù)字微鏡還包括: 反光鏡地址電極14,所述反光鏡地址電極14與所述基底10上的CMOS電路結(jié)構(gòu) 連接,通過(guò)CMOS電路結(jié)構(gòu)向反光鏡地址電極14提供電壓,反光鏡地址電極14 與反光鏡11電連接,從而CMOS電路結(jié)構(gòu)通過(guò)反光鏡地址電極14向反光鏡11 提供電壓,使反光鏡11具有預(yù)定的電勢(shì)。數(shù)字微鏡還包括:軛板地址電極15, 所述軛板地址電極15與所述基底10上的CMOS電路結(jié)構(gòu)連接,通過(guò)CMOS電路 結(jié)構(gòu)向軛板地址電極15提供電壓,軛板地址電極15與軛板12電連接,從而 CMOS電路結(jié)構(gòu)通過(guò)軛板地址電極15向軛板12提供電壓,使軛板12具有預(yù)定的 電勢(shì)。在基底10和軛板12之間具有偏置/復(fù)位總線(bias/reset?bus)16。
以上所述的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成品率低,驅(qū)動(dòng)電壓高 (功耗高)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成品率低,驅(qū) 動(dòng)電壓高(功耗高)。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種數(shù)字微鏡器件,包括:
基底,所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu);
位于所述基底上的數(shù)字微鏡陣列,數(shù)字微鏡陣列中的每一數(shù)字微鏡包括 一個(gè)反光鏡、兩個(gè)第一極板、兩個(gè)第二極板、鉸鏈;
所述兩個(gè)第二極板位于所述基底上,與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連 接;
所述兩個(gè)第一極板位于所述兩個(gè)第二極板上方,且分別與所述兩個(gè)第二 極板相對(duì);
所述鉸鏈位于所述第二極板上方;
所述反光鏡位于所述第一極板上方,且所述反光鏡通過(guò)第一插栓與兩個(gè) 第一極板電連接,所述反光鏡通過(guò)第二插栓與所述鉸鏈電連接;在所述第一 極板或第二極板之間具有電壓差時(shí),所述反光鏡繞所述鉸鏈偏轉(zhuǎn);
還包括:
兩個(gè)卡口,所述鉸鏈兩端分別可活動(dòng)設(shè)于所述兩個(gè)卡口內(nèi),所述卡口固 定且與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接,在所述鉸鏈與所述卡口接觸時(shí), 所述卡口與所述鉸鏈電連接。
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