[發明專利]襯底、外延片及半導體器件無效
| 申請號： | 201110295490.9 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102324435A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發明（設計）人： | 顧昱;鐘旻遠;林志鑫;陳斌 | 申請（專利權）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/36 | 分類號： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 外延 半導體器件 | ||
1.襯底，包括襯底本體，其特征在于，所述襯底本體背面設置有第一二氧化硅層；在第一二氧化硅層表面設置有多晶硅層；多晶硅層表面設置有第二多晶硅層。
2.根據權利要求1所述的襯底，其特征在于，所述的第一二氧化硅層厚度為3-7um。
3.根據權利要求1所述的襯底，其特征在于，所述的多晶硅層厚度為6-10um。
4.根據權利要求1、2或3所述的襯底，其特征在于，所述的第二二氧化硅層厚度為0.8-1.2um。
5.根據權利要求1所述的襯底，其特征在于，在襯底本體正面設置有單晶硅層。
6.根據權利要求5所述的襯底，其特征在于，所述的單晶硅層為三氯硅烷與氫氣在900℃～1050℃下反應，反應生成的單晶硅沉積在襯底本體正面形成。
7.根據權利要求6所述的襯底，其特征在于，所述的三氯硅烷與氫氣通入反應腔內，氫氣的流速為120-170slm/s。
8.根據權利要求5所述的襯底，其特征在于，所述的單晶硅層厚度為2-5μm。
9.根據權利要求1所述的襯底，其特征在于，所述的襯底本體為N型。
10.根據權利要求9所述的襯底，其特征在于，所述的N型襯底本體摻雜有砷、磷及銻中的至少一種元素。
11.根據權利要求1所述的襯底，其特征在于，所述的襯底本體為P型。
12.根據權利要求11所述的襯底，其特征在于，所述的P型襯底本體摻雜有硼。
13.外延片，其特征在于，包括權利要求1至12任一權利要求所述的襯底。
14.半導體器件，其特征在于，包括權利要求13所述的外延片。
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