[發明專利]線路板的內埋式線路結構的制造方法

有效

• 申請號: 201110295397.8
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102695371A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 張啟民;余丞博;徐嘉良
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H05K3/20
• 分類號: H05K3/20;H05K1/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一基板的一平面上形成一阻隔層，其中該阻隔層全面性地覆蓋該平面，并具有一外表面；

在該外表面上形成多條走線溝、至少一接墊槽與至少一盲孔，該些走線溝、該接墊槽與該盲孔皆局部暴露該基板，其中至少一條走線溝與該接墊槽相通，而該盲孔位于該接墊槽的下方，并與該接墊槽相通；

在該外表面上形成至少一與該些走線溝及該接墊槽相通的連接溝，其中該連接溝局部暴露該基板；

形成一全面性地覆蓋該外表面以及該些走線溝、該接墊槽、該盲孔與該連接溝四者所有表面的活化層；

在形成該活化層之后，移除該阻隔層；

在形成該活化層之后，利用無電電鍍，在該活化層上形成一種子層；

利用電鍍，在該種子層上形成一金屬層，以在該些走線溝內分別形成多條走線，在該接墊槽內形成一接墊，在該盲孔內形成一導電柱，以及在該連接溝內形成一電鍍線；以及

在形成該些走線與該接墊之后，移除該電鍍線。

2.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中形成該阻隔層的方法包括：

在該平面上涂布一高分子材料層；以及

烘烤該高分子材料層。

3.根據權利要求2所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中烘烤該高分子材料層的時間介于5分鐘與20分鐘之間。

4.根據權利要求2所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中烘烤該高分子材料層的時間介于15分鐘與40分鐘之間。

5.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔層的材料為高分子材料，且該阻隔層的一玻璃轉換溫度變化量大于3℃。

6.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔層的材料為高分子材料，且該阻隔層的一玻璃轉換溫度變化量小于或等于3℃。

7.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔層是在形成該電鍍線之前移除。

8.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔層是在形成該電鍍線之后移除。

9.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中移除該阻隔層的方法包括化學移除、研磨或刷磨。

10.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中移除該電鍍線的方法包括蝕刻、研磨或刷磨。

11.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中形成該些走線溝、該接墊槽、該盲孔與該連接溝的方法包括對該基板與該阻隔層進行激光燒蝕。

12.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的連接溝相對于該平面的深度小于該些走線溝相對于該平面的深度以及該接墊槽相對于該平面的深度。

13.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中形成該活化層的方法包括將該阻隔層與該基板浸泡在一含有多個金屬離子的離子溶液中。

14.根據權利要求13所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中該些金屬離子為鎳離子、鈀離子、鉑離子、鉻離子、銀離子或鉬離子。

15.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的基板包括：

一線路層；以及

一絕緣層，覆蓋該線路層，該阻隔層全面性地覆蓋該絕緣層，而該盲孔局部暴露該線路層。

16.根據權利要求15所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于更包括對該盲孔所暴露的該線路層進行一表面清潔。

17.根據權利要求16所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的表面清潔的方法包括去膠渣或等離子體處理。

18.根據權利要求1所述的線路板的內埋式線路結構的制造方法，其特征在于其中所述的電鍍線的線寬與各該走線的線寬的比值介于1至5之間。