[發(fā)明專利]光柵耦合器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110294691.7 | 申請日： | 2011-09-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102323646A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 仇超 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/34 | 分類號(hào)： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光柵 耦合器 及其 制作方法 | ||
1.一種光柵耦合器，包括絕緣層上硅襯底，所述絕緣層上硅襯底包括背襯底、埋氧化層、頂硅層，其特征在于：還包括在頂層硅中形成的光波導(dǎo)，作為光傳輸層；光波導(dǎo)上的氧化層，用作刻蝕阻擋層；氧化層上的多晶硅光柵，將光波導(dǎo)中傳輸?shù)墓怦詈系焦饫w中。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的光柵耦合器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
刻蝕絕緣層上硅襯底的頂硅層，形成光波導(dǎo)；
在光波導(dǎo)上熱氧化生長氧化層，在氧化層上沉積多晶硅層；
刻蝕所述多晶硅層，形成光柵。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光柵耦合器的制作方法，其特征在于：所述刻蝕絕緣層上硅襯底的頂硅層，形成光波導(dǎo)的步驟與CMOS的有源區(qū)刻蝕工藝兼容，所述刻蝕所述多晶硅層，形成光柵的步驟與CMOS的柵極區(qū)刻蝕工藝兼容。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光柵耦合器的制作方法，其特征在于：所述氧化層為二氧化硅，與CMOS的柵氧化層制作工藝兼容。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光柵耦合器的制作方法，其特征在于：所述氧化層的厚度為10-100埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光柵耦合器的制作方法，其特征在于：所述多晶硅層的厚度小于2500埃。
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