[發明專利]芯片

有效

• 申請號: 201110294373.0
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN103011066A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 葉哲良
• 申請（專利權）人: 葉哲良
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;B82Y30/00;B82Y10/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

技術領域

本發明涉及一種芯片，并且特別地，本發明涉及一種具有高度抗破裂性的芯片。

背景技術

近年來電子產業發展突飛猛進，各種多功能的可攜式電子產品如智能型手機、筆記本電腦、平板電腦等都已融入一般民眾生活中，使得人們生活越來越便利。在電子產業發展的背后，位于其上游的半導體產業的成熟發展具有極大的貢獻。除了民生、軍事電子產業之外，能源方面如太陽能產業以及照明方面如LED產業，皆與半導體產業有相當大程度的關聯性。此外，半導體的技術也可應用在生技等其它領域，其牽涉范圍之廣，稱之為近代科技的基石也不為過。

半導體工藝制作出的芯片可廣泛地利用于上述各種應用領域中，芯片的合格率可說是直接決定了終端產品的質量，因此，在芯片的材料以及制作方式上各界均以投入大量研究以確保其質量。不論其為何種應用領域的芯片，均須經過多道加工工藝，例如，晶圓切割、蝕刻、表面處理、封裝、IC測試等程序，才能獲得實際應用的電子元件或光電元件。

在上述各種處理芯片的工藝中，芯片常會受到程度不同的外力作用。一般而言，芯片上的各種功能結構通常設置于芯片具有最大面積的主要表面上，并且各結構常會在芯片上造成材料上的缺陷，而容易在這些缺陷上產生應力集中的現象。當所受到的外力逐漸增加時，這些區域上的應力集中現象會更加劇烈。由于目前的芯片材料都是使用脆性的材質，例如，硅晶圓，因此上述應力集中現象容易使得芯片應力集中處產生裂痕甚至導致芯片破裂，進而降低芯片合格率同時提高其生產成本。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種具有高度抗破裂性的芯片，以解決現有技術的問題。

根據一具體實施例，本發明的芯片具有多個表面，其包含在各表面中具有最大面積的一最大面，以及連接最大面邊緣的側表面。至少在側表面上形成有具分散應力功能的納米結構層，以分散芯片的應力。

于本具體實施例中，納米結構層可包含多個納米結構，例如納米針或納米柱。這些納米結構分別于芯片的側表面上形成應力集中點，當芯片受力時，納米結構層上多個應力集中點將應力分散至整個納米結構層上，因此，可避免應力集中在芯片的功能結構上，進而防止芯片產生裂痕甚至破裂。

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及附圖得到進一步的了解。

附圖說明

圖1為根據本發明的一具體實施例的芯片的示意圖。

圖2為圖1的納米結構層的實際外觀圖。

圖3為圖2的納米結構層的剖面示意圖。

圖4A為圖1的芯片進行三點抗彎測試的示意圖。

圖4B為圖4A的芯片所能承受的最大負載對應蝕刻時間的圖表。

圖5為根據本發明的另一具體實施例的芯片的剖面示意圖。

圖6為根據本發明的另一具體實施例的芯片的示意圖。

圖7為根據本發明的另一具體實施例的芯片的示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

1、2、3、4：芯片

10、20、30、40：最大面

12、22、32、42：側表面

14、24、34、44：納米結構層

140：納米針

142：納米柱

L：參考線

具體實施方式

請參閱圖1，圖1為根據本發明的一具體實施例的芯片1的示意圖，實務中，此芯片1可為太陽能芯片、LED芯片及半導體芯片的其中之一，或是其它以半導體工藝加工的芯片。如圖1所示，芯片1上有多個表面，其中，面積最大的最大面10通常用來設置各種功能性結構于其上。以半導體芯片為例，最大面上可設置閘極、汲極或源極等電極結構，或者，芯片本身可為P型半導體，最大面上則形成有N型半導體層，反之亦然。此外，太陽能芯片或LED芯片的最大面上亦同樣可設置電極等結構。須說明的是，一般的芯片為薄片狀結構，其最大面通常有兩面并互相相對，于此為了圖面簡潔起見僅標示出其中的一個最大面。

于本具體實施例中，芯片1的最大面10邊緣連接有側表面12，側表面12根據芯片1的形狀而在數量上有所不同。由于芯片1的形狀為薄片形，因此側表面12的面積相較于最大面10較小，一般而言，側表面12上并沒有空間可設置上述的功能結構。側表面12與最大面10間具有90°的夾角，然而本發明并不限于本具體實施例的90°夾角，而可介于0°至180°之間。此外，于另一具體實施例中，側表面及最大面的連接處可存在有導圓角。上述各種芯片形態根據使用者需求而定，本發明對此并不加以限制。