[發明專利]芯片

有效

• 申請號: 201110294373.0
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN103011066A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 葉哲良
• 申請（專利權）人: 葉哲良
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;B82Y30/00;B82Y10/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種芯片，包含：

多個表面，所述多個表面包含：

一最大面，具有所述多個表面中最大的面積；以及

一側表面，連接該最大面的一邊緣；以及

一納米結構層，其至少形成于該側表面上，用以分散該芯片的應力。

2.如權利要求1所述的芯片，其中該側表面與該最大面的夾角介于0°至180°之間。

3.如權利要求2所述的芯片，其中該側表面與該最大面的夾角介于45°至90°之間。

4.如權利要求1所述的芯片，其中該側表面與該最大面之間是通過一導圓角互相連接。

5.如權利要求1所述的芯片，其中該側表面為一長方形表面或一環狀表面。

6.如權利要求1所述的芯片，其中該芯片的該最大面形狀為長方形、菱形、圓形、橢圓形或正方形。

7.如權利要求1所述的芯片，其中該納米結構層還形成于該最大面的該邊緣上的一范圍內，并且該范圍自該邊緣朝該最大面的中心延伸1公分。

8.如權利要求1所述的芯片，其中該納米結構層包含多個納米結構。

9.如權利要求8所述的芯片，其中所述多個納米結構的形狀包含納米柱及納米針中的至少其中之一。

10.如權利要求9所述的芯片，其中兩相鄰的該納米結構頂端的間距介于10納米至1000納米之間。

11.如權利要求9所述的芯片，其中所述多個納米結構的深度介于0.1微米至100微米之間。

12.如權利要求8所述的芯片，其中所述多個納米結構是通過蝕刻、外延以及鍍膜方法的其中的一種方法形成于該側表面。

13.如權利要求1所述的芯片，其中該芯片為一非晶芯片、一單晶芯片及一多晶芯片的其中之一。

14.如權利要求13所述的芯片，其中該單晶芯片為一單晶硅芯片。

15.如權利要求13所述的芯片，其中該芯片是由玻璃、硅、鍺、碳、鋁、氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、氮化鋁、三氧化二鋁、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鋰鋁、二氧化鋰鎵以及四氧化鎂二鋁所組成的一群組中的至少一種所制成。

16.如權利要求1所述的芯片，其中該芯片為一P型半導體，并且該最大面上形成一N型半導體層。

17.如權利要求1所述的芯片，其中該芯片為一N型半導體，并且該最大面上形成一P型半導體層。

18.如權利要求1所述的芯片，其中該納米結構層的材質與該芯片的材質相同。

19.如權利要求1所述的芯片，其中該納米結構層的材質與該芯片的材質相異。

20.如權利要求1所述的芯片，其中該芯片為半導體芯片。