[發明專利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201110293930.7
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN102408845A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 村田修平;松村健;柳雄一朗
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/00;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術領域

本發明涉及將用于固著芯片狀工件(半導體芯片等)與電極構件的膠粘劑在切割前附著在工件(半導體晶片等)上的狀態下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。

背景技術

形成有電路圖案的半導體晶片(工件)，在根據需要通過背面研磨調節厚度后，切割為半導體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適度的液壓(通常約2kg/cm²)下清洗半導體晶片。然后，將所述半導體芯片利用膠粘劑固著到引線框等被粘物上(安裝工序)后，轉移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到引線框或半導體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導體晶片并且還提供安裝工序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參考專利文獻1)。

專利文獻1中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上以可以剝離的方式設置有膠粘劑層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導體晶片后，拉伸支撐基材將半導體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收后通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。

對于這種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對半導體晶片的良好保持力和能夠將切割后的半導體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產生不能切割或尺寸誤差等問題。但是，使這兩種特性平衡絕不是件容易的事。特別是像用旋轉圓刀等切割半導體晶片的方式等，在要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。

因此，為了解決這樣的問題，提出了各種改良方法(例如，參考專利文獻2)。在專利文獻2中提出的方法為：在支撐基材與膠粘劑層之間具有可進行紫外線固化的粘合劑層，將其切割后進行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，從而通過二者間的剝離容易地拾取半導體芯片。

但是，即使通過該改良方法，有時也難以得到使切割時的保持力與之后的剝離性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在10mm×10mm以上的大型半導體芯片或25～75μm的極薄的半導體芯片的情況下，通過普通的芯片接合機不能容易地拾取半導體芯片。

因此，以往公開了如下的切割/芯片接合薄膜：具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，通過將切割薄膜的粘合劑層中所含有的聚合物設定為特定的聚合物，并且控制交聯劑的添加量，由此可以在保持切割時的保持力的同時提高拾取時的剝離性(例如，參考專利文獻3)。

專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報

專利文獻2：日本特開平2-248064號公報

專利文獻3：日本特開2009-170787號公報

發明內容

但是，關于專利文獻3記載的切割/芯片接合薄膜，在將該切割/芯片接合薄膜粘貼到切割環上時，在粘貼裝置的粘貼速度、以及壓力、張力等粘貼條件不適當的情況，或者切割環上具有污垢或損傷從而切割/芯片接合薄膜難以粘貼到切割環上的情況下，切割/芯片接合薄膜有可能會從切割環上剝離，因此尚有改善的余地。

本發明鑒于所述問題點而創立，其目的在于提供一種切割/芯片接合薄膜，該切割/芯片接合薄膜與將切割/芯片接合薄膜粘貼到切割環上時的粘貼裝置的條件等無關，可以在保持切割時的保持力的同時提高拾取時的剝離性；還提供該切割/芯片接合薄膜的制造方法，以及使用該切割/芯片接合薄膜制造半導體裝置的方法。

為了實現上述目的，本發明提供如下發明。即，本發明的切割/芯片接合薄膜，具有：在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有聚合物和交聯劑，并且通過在規定條件下的紫外線照射而固化，所述聚合物為使含有10～40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70～90摩爾％范圍內的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進行加成反應而得到的聚合物，所述交聯劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為0.5～2重量份；所述粘合劑層的粘貼切割環的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23±3℃、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1.0N/20mm帶寬以上且10.0N/20mm帶寬以下；所述粘貼切割環的部分的23℃下的拉伸儲能彈性模量為0.05MPa以上且低于0.4MPa；所述芯片接合薄膜粘貼到紫外線照射后的粘合劑層上。