[發明專利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201110293930.7
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN102408845A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 村田修平;松村健;柳雄一朗
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/00;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種切割/芯片接合薄膜，具有：在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合劑層含有聚合物和交聯劑，并且通過在規定條件下的紫外線照射而固化，所述聚合物為使含有10～40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70～90摩爾％范圍內的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進行加成反應而得到的聚合物，所述交聯劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為0.5～2重量份，

所述粘合劑層的粘貼切割環的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23±3℃、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1.0N/20mm帶寬以上且10.0N/20mm帶寬以下，

所述粘貼切割環的部分的23℃下的拉伸儲能彈性模量為0.05MPa以上且低于0.4MPa，

所述芯片接合薄膜粘貼到紫外線照射后的粘合劑層上。

2.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層中，相對于所述聚合物100重量份還含有5～100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。

3.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述紫外線的照射在30～1000mJ/cm²的范圍內進行。

4.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯所組成的組中的至少任意一種。

5.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯中的至少任意一種。

6.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層不含丙烯酸。

7.一種切割/芯片接合薄膜的制造方法，用于制造具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括如下工序：

在所述基材上形成粘合劑層前體的工序，所述粘合劑層前體含有聚合物和交聯劑而構成，所述聚合物為使含有10～40摩爾％的含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對于所述含羥基單體為70～90摩爾％范圍內的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進行加成反應而得到的聚合物，所述交聯劑在分子中具有兩個以上對羥基顯示反應性的官能團、并且相對于所述聚合物100重量份含量為0.5～2重量份，

在規定條件下對所述粘合劑層前體照射紫外線，從而形成所述粘合劑層的工序，所述粘合劑層的粘貼切割環的部分對鏡面硅晶片的180度剝離粘合力在測定溫度23±3℃、拉伸速度300mm/分鐘的條件下為1.0N/20mm帶寬以上且10.0N/20mm帶寬以下、并且所述粘貼切割環的部分的23℃下的拉伸儲能彈性模量為0.05MPa以上且低于0.4MPa，和

在所述粘合劑層上粘貼所述芯片接合薄膜的工序。

8.如權利要求7所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述粘合劑層前體中，相對于所述聚合物100重量份還含有0～100重量份的紫外線固化性的低聚物成分。

9.如權利要求7所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述紫外線的照射在30～1000mJ/cm²的范圍內進行。

10.一種半導體裝置的制造方法，使用具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜以及設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜制造半導體裝置，其特征在于，包括如下工序：

準備權利要求1～6中所述的切割/芯片接合薄膜，并在所述粘合劑層的粘貼切割環的部分粘貼切割環的工序，

將半導體晶片壓接在所述芯片接合薄膜上的工序，

通過將所述半導體晶片與所述芯片接合薄膜一起切割而形成半導體芯片的工序，和

將所述半導體芯片與所述芯片接合薄膜一起從所述粘合劑層上剝離的工序，并且

從所述半導體晶片的壓接工序直到半導體芯片的剝離工序，在不對所述粘合劑層照射紫外線的情況下進行。