[發明專利]一種鹽堿地苗木種植方法

有效

• 申請號: 201110293273.6
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102498837A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 王勝
• 申請（專利權）人: 山東勝偉園林科技有限公司
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G23/04;A01B79/02
• 代理公司: 濰坊正信專利事務所 37216
• 代理人: 張曰俊

技術領域

本發明涉及鹽堿地苗木種植技術領域，具體地說，涉及一種在鹽堿地上進行苗木種植的方法。

背景技術

土壤中鹽堿過多時，就會形成鹽害，影響植物的正常生長。鹽堿對植物可造成兩種危害：一是毒害作用，當植物吸收進較多的鈉離子或氯離子時，就會改變細胞膜的結構和功能，最終會造成植物死亡；二是提高了土壤的滲透壓，給植物根的吸收作用造成了阻力，使植物吸水發生困難，出現細胞脫水、植株萎蔫，最后導致植物死亡。

土地鹽堿化是人類面臨的一個世界性難題，我國有大面積的鹽堿化土地，主要分布在華北平原、東北平原、西北內陸地區及濱海地區。鹽堿地中種植植物的成活率一般都很低，因而嚴重影響著我國的農林業生產。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種鹽堿地苗木種植方法，以有效隔離鹽堿，提高苗木的成活率，確保苗木正常生長。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種鹽堿地苗木種植方法，包括以下步驟

a、挖掘種植坑；

b、鋪設鹽堿隔離層：在所述種植坑的坑壁及底部鋪設可以隔離鹽堿入侵的隔離材料，所述隔離材料為無紡布、草柵或者可降解塑料布，并用5-10?cm長的木棒將隔離材料固定于種植坑的坑壁上；

c、鋪設蓄水層：完成步驟b后，在所述種植坑的底部鋪設蓄水層，所述蓄水層是厚度為15-25cm的碎石層，所述碎石的粒徑為0.5-1cm;

d、鋪設濾滲層：在所述碎石層的上面鋪設濾滲層，所述濾滲層是厚度為20-30cm的爐渣或者農作物秸稈；

e、回填種植土：向種植坑內回填適于苗木生長的種植土，所述種植土的ph值為6.5-7.8，含鹽量低于0.2%；

f、栽植苗木：3月中下旬，向所述種植坑內栽植苗木。

作為優選，所述種植土取自異地地表35-45cm以內的陽土。

作為優選，所述步驟e中，回填種植土時，先填至種植土的上表面離種植坑頂部的距離為整個種植坑深度的1/5-1/3，之后用水灌透，再第二次回填種植土，直至種植土的上表面與種植坑的頂部平齊。

作為優選，所述步驟f中，栽植苗木的當天澆第一遍透水，三天后澆第二遍透水，第十天澆第三遍透水。

作為優選，所述苗木為抗鹽堿苗木。

作為進一步優選，所述抗鹽堿苗木為檉柳、白蠟、金枝國槐、中華金葉榆、紫穗槐、金絲柳、女貞、金絲小棗、海濱木槿、刺槐、沙棘、中天楊、紅葉椿、衛矛、枸杞、迎春或紫葉李。

由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：由于本發明的鹽堿地苗木種植方法包括挖掘種植坑、鋪設鹽堿隔離層、鋪設蓄水層、鋪設濾滲層、回填種植土和栽植苗木步驟，鋪設在種植坑的坑壁及底部的鹽堿隔離層可以隔離或減緩鹽堿等有害物質侵入種植坑內，有利于苗木正常生長。當用大量的水澆灌苗木或下過大雨后，多余的水可以自種植土經濾滲層而下滲到蓄水層進行存儲，對苗木起到防澇作用；當種植土內的水分不斷蒸發掉后，蓄水層中存儲的水通過濾滲層而向上輸送到種植土，從而防止苗木干旱。

總之，采用本發明的鹽堿地苗木種植方法，既可以有效地隔離鹽堿，又能抗旱防澇，提高苗木的成活率，確保苗木正常生長。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明：

附圖是本發明實施例的結構斷面示意圖；

圖中：1-鹽堿土壤；2-鹽堿隔離層；3-木棒；4-種植土；5-濾滲層；6-蓄水層;7-種植坑。

具體實施方式

如附圖所示，一種鹽堿地苗木種植方法，包括以下步驟

a、在鹽堿土壤1上挖掘種植坑7。挖掘時，要把苗木2～3年的主根系生長量考慮進去。

b、鋪設鹽堿隔離層2：在所述種植坑7的坑壁及底部鋪設可以隔離鹽堿入侵的隔離材料而形成鹽堿隔離層2，所述隔離材料采用無紡布、草柵或者可降解塑料布，并用5-10?cm長的木棒3將隔離材料固定于種植坑7的坑壁上。該鹽堿隔離層2可以隔離或減緩鹽堿等有害物質侵入種植坑7內，從而有利于苗木正常生長。木棒3經過一段時間后會腐爛掉，起到肥料作用，也有利于苗木生長。

c、鋪設蓄水層6：完成步驟b后，在所述種植坑7的底部鋪設蓄水層6，所述蓄水層6是厚度為15-25cm的碎石層，所述碎石的粒徑為0.5-1cm。