[發明專利]一種鹽堿地苗木種植方法

有效

• 申請號: 201110293273.6
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102498837A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 王勝
• 申請（專利權）人: 山東勝偉園林科技有限公司
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G23/04;A01B79/02
• 代理公司: 濰坊正信專利事務所 37216
• 代理人: 張曰俊

1.一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于，包括以下步驟

a、挖掘種植坑；

b、鋪設鹽堿隔離層：在所述種植坑的坑壁及底部鋪設可以隔離鹽堿入侵的隔離材料，所述隔離材料為無紡布、草柵或者可降解塑料布，并用5-10?cm長的木棒將隔離材料固定于種植坑的坑壁上；

c、鋪設蓄水層：完成步驟b后，在所述種植坑的底部鋪設蓄水層，所述蓄水層是厚度為15-25cm的碎石層;

d、鋪設濾滲層：在所述碎石層的上面鋪設濾滲層，所述濾滲層是厚度為20-30cm的爐渣或者農作物秸稈；

e、回填種植土：向種植坑內回填適于苗木生長的種植土，所述種植土的ph值為6.5-7.8，含鹽量低于0.2%；

f、栽植苗木：3月中下旬，向所述種植坑內栽植苗木。

2.如權利要求1所述的一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于：所述種植土取自異地地表35-45cm以內的陽土。

3.如權利要求1所述的一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于：所述步驟e中，回填種植土時，先填至種植土的上表面離種植坑頂部的距離為整個種植坑深度的1/5-1/3，之后用水灌透，再第二次回填種植土，直至種植土的上表面與種植坑的頂部平齊。

4.如權利要求1所述的一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于：所述步驟f中，栽植苗木的當天澆第一遍透水，三天后澆第二遍透水，第十天澆第三遍透水。

5.如權利要求1至4任一項所述的一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于：所述苗木為抗鹽堿苗木。

6.如權利要求5所述的一種鹽堿地苗木種植方法，其特征在于：所述抗鹽堿苗木為檉柳、白蠟、金枝國槐、中華金葉榆、紫穗槐、金絲柳、女貞、金絲小棗、海濱木槿、刺槐、沙棘、中天楊、紅葉椿、衛矛、枸杞、迎春或紫葉李。