[發明專利]LED封裝結構

無效

• 申請號: 201110292817.7
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN103035828A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張耀祖
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED封裝結構，其包括一個基板、一個LED芯片、一個熒光層以及一個增亮膜,所述基板包含有一個反射層以及至少兩個電極,?所述電極設置于所述反射層的底部,?所述電極上設置所述LED芯片,?并達成電性連接,?其特征在于：所述熒光層覆蓋所述LED芯片,?所述LED芯片通過所述基板具有的一個出光面為發光表面,?所述出光面上設置所述增亮膜。

2.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述反射層為杯狀凹槽形成在所述基板內，所述電極設置于所述反射層的底部。

3.如權利要求2所述的LED封裝結構，其特征在于：所述電極在所述反射層的底部相對設置，并向下延伸至所述基板的底面，所述電極一個為正電極，一個為負電極。

4.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述出光面位于所述基板的頂面。

5.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述增亮膜為反射式增亮膜，其包括復數個薄膜層，所述薄膜層分別具有不同的折射率以及厚度，并相互堆棧構成。

6.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：所述薄膜層的折射率是在1.2至2.0之間。

7.如權利要求5所述的LED封裝結構，其特征在于：所述薄膜層的厚度是在100奈米(nm)至300奈米(nm)之間。

8.如權利要求1所述的LED封裝結構，其特征在于：所述增亮膜的上、下表面分別為一個入光面以及一個出光面，所述增亮膜的表面上具有一個粗糙表面，所述粗糙表面形成在所述增亮膜的入光面或是出光面。

9.如權利要求8所述的LED封裝結構，其特征在于：所述粗糙表面是以光微影技術在所述增亮膜表面形成的微結構。

10.如權利要求9所述的LED封裝結構，其特征在于：所述粗糙表面形成在所述增亮膜的入光面時,?所述微結構位于所述增亮膜的入光面內，所述粗糙表面形成在所述增亮膜的出光面時,?所述微結構位于所述增亮膜出光面的外表面上。