[發(fā)明專利]一種晶圓級的封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110290446.9
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN103000537A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛彥迅;黃平;何約瑟;哈姆扎·耶爾馬茲;魯軍;魯明聯(lián)
• 申請（專利權(quán)）人: 萬國半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/00
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種晶圓級封裝的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一包含有多個芯片的晶圓，在晶圓的正面形成凸出于晶圓正面并電性連接至芯片焊墊的焊料凸塊，

塑封所述晶圓的正面，以第一塑封層包覆晶圓的正面及焊料凸塊；

于晶圓的背面進行研磨；

于減薄后的晶圓的背面對晶圓進行切割，形成隔離芯片的切割槽，并且切割槽停止在第一塑封層中；

于減薄后的晶圓的背面對晶圓進行塑封，形成包覆減薄后的晶圓的背面的第二塑封層，同時塑封料還填充在切割槽中；

研磨第一塑封層以將焊料凸塊在減薄后的第一塑封層中予以外露；

于所述切割槽中進行切割，將芯片進行分離，所述第一塑封層及第二塑封層包覆所述分離的芯片，所述焊料凸塊在減薄后的第一塑封層中予以外露。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在晶圓的背面研磨之后，于減薄后的晶圓的背面，穿透晶圓所包含的襯底及絕緣介質(zhì)層形成接觸第一類焊墊的通孔，并填充金屬材料至所述通孔中；與通孔所接觸的所述第一焊墊的位置，位于覆蓋在晶圓的襯底內(nèi)非有源器件單元區(qū)域之上的絕緣介質(zhì)層上。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述通孔后，還在所述通孔的內(nèi)壁上沉積有隔離襯墊層，并且填充的金屬材料通過隔離襯墊層與環(huán)繞在通孔周圍的的襯底區(qū)域絕緣。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還覆蓋一層金屬層至減薄后的晶圓的背面。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述芯片為垂直式的MOSFET，所述的背面金屬層通過所述填充通孔的金屬材料電連接到所述第一類焊墊構(gòu)成所述MOSFET的漏極電極。

6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所形成的通孔的平面截面尺寸小于焊墊的平面尺寸。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在晶圓的正面形成焊料凸塊之前，于晶圓的正面，穿透第一類焊墊、絕緣介質(zhì)層及部分晶圓所包含的襯底，形成接觸第一類焊墊的通孔；所述第一焊墊的位置，位于覆蓋在晶圓的襯底內(nèi)非有源器件單元區(qū)域之上的絕緣介質(zhì)層上；以及

于所述焊墊上安置焊料凸塊的過程中，部分焊料同時填充在所述通孔中。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述通孔后，還在所述通孔的內(nèi)壁上沉積有隔離襯墊層，并且填充在所述通孔中的焊料通過隔離襯墊層與環(huán)繞在通孔周圍的襯底區(qū)域絕緣。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還覆蓋一層金屬層至減薄后的晶圓的背面。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述芯片為垂直式的MOSFET，所述的背面金屬層通過所述填充通孔的焊料電連接到所述第一類焊墊構(gòu)成所述MOSFET的漏極電極。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，形成通孔的方式為干法刻蝕或濕法刻蝕或激光刻蝕。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

于晶圓的正面進行塑封之前，在晶圓的正面進行切割，形成位于晶圓正面一側(cè)的用于隔離芯片的切割槽，并且該切割槽停止在晶圓所包含的襯底中；

在形成包覆晶圓的正面的第一塑封層的過程中，塑封料還填充在位于晶圓正面一側(cè)的切割槽中；

且形成位于減薄后的晶圓背面一側(cè)的切割槽停止在襯底中并進一步與填充在位于晶圓正面一側(cè)的切割槽中的塑封料接觸。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，晶圓的背面完成研磨后，還包括于減薄后的晶圓的背面進行蝕刻，并覆蓋一層金屬層至減薄后的晶圓的背面的步驟；以及

形成位于減薄后的晶圓背面一側(cè)的用于隔離芯片的切割槽的過程中，于減薄后的晶圓的覆蓋有金屬層的背面對晶圓進行切割；并且

在形成包覆減薄后的晶圓的背面的第二塑封層的過程中，所述第二塑封層還同時包覆所述金屬層。