[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110289509.9
• 申請(qǐng)日: 2011-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543160A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃正太;李康悅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/4063
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2010年12月21日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2010-0131995的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。更具體而言，某些實(shí)施例涉及一種能夠以減少的數(shù)量的鍵合焊盤(pán)來(lái)設(shè)置其操作模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作速度和處理容量增加，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置開(kāi)始裝設(shè)多個(gè)焊盤(pán)和多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出線，以一次輸入和輸出多個(gè)數(shù)據(jù)。根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在每次讀取或?qū)懭氩僮髦心軌蛲瑫r(shí)處理多少數(shù)據(jù)比特，來(lái)使用X4、X8和X16輸入/輸出模式。X4輸入/輸出模式可以是指在每一次讀取或?qū)懭氩僮髦型瑫r(shí)輸入或輸出四個(gè)數(shù)據(jù)比特的模式，而X8和X16輸入/輸出模式可以是指在每一次讀取或?qū)懭氩僮髦型瑫r(shí)輸入或輸出八個(gè)和十六個(gè)數(shù)據(jù)比特的模式。

為了提高完整產(chǎn)品的產(chǎn)量，通常在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造過(guò)程期間執(zhí)行晶片老化(wafer?burn-in)測(cè)試。晶片老化測(cè)試可以是指當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在被封裝之前處于晶片上時(shí)持續(xù)施加應(yīng)力的測(cè)試，由此檢查半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是正常還是異常。獨(dú)立于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的常規(guī)操作來(lái)執(zhí)行晶片老化測(cè)試。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括能夠指定輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式的配置。

圖1是示意性地說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。如圖1所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第一鍵合焊盤(pán)10、第二鍵合焊盤(pán)20和譯碼單元30。第一鍵合焊盤(pán)10接收第一鍵合信號(hào)PADX4，第二鍵合焊盤(pán)20接收第二鍵合信號(hào)PADX8。譯碼單元30被配置為從第一鍵合焊盤(pán)10和第二鍵合焊盤(pán)20接收第一鍵合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8，并將第一鍵合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8譯碼?？梢曰诘谝绘I合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8的邏輯電平的各種組合來(lái)產(chǎn)生四個(gè)譯碼信號(hào)。所述四個(gè)譯碼信號(hào)可以被用作分別指定X4輸入/輸出模式、X8輸入/輸出模式、X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式的信號(hào)X4、X8、X16和WBI。

因此，為了在現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中指定X4、X8和X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式，需要從至少兩個(gè)鍵合焊盤(pán)接收信號(hào)。而且，即使在未使用X4輸入/輸出模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，也必須從至少兩個(gè)鍵合焊盤(pán)接收兩個(gè)信號(hào)以指定三種不同的操作模式。

發(fā)明內(nèi)容

因此，需要一種能夠利用減少的數(shù)量的鍵合焊盤(pán)來(lái)指定其操作模式的改進(jìn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本發(fā)明所實(shí)施且在此概括性描述的，本發(fā)明的一個(gè)示例性方面可以提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：鍵合焊盤(pán)；控制信號(hào)焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)和經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的控制信號(hào)來(lái)產(chǎn)生多個(gè)操作模式信號(hào)。

在本發(fā)明的另一個(gè)示例性方面中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括：鍵合焊盤(pán)；地址焊盤(pán)；選通焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)、經(jīng)由地址焊盤(pán)輸入的地址信號(hào)、以及經(jīng)由選通焊盤(pán)輸入的選通信號(hào)來(lái)確定第一至第四操作模式。

在本發(fā)明的另一個(gè)示例性方面中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括：鍵合焊盤(pán)；以及控制信號(hào)焊盤(pán)，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第一操作模式下經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)接收控制信號(hào)，在第二操作模式和第三操作模式下經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)接收鍵合信號(hào)而非控制信號(hào)。

本發(fā)明的其它的目的和優(yōu)點(diǎn)的一部分將在以下的描述中闡明，一部分將從描述中顯然地得出，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而習(xí)得。借助于所附權(quán)利要求中特別指出的要素和組合可以了解并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的概括性的描述和以下的詳細(xì)描述都僅僅是示例性和說(shuō)明性，而并非如權(quán)利要求那樣限制本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

包含在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出符合本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是示意性地說(shuō)明現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。

圖2是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。

圖3是說(shuō)明圖2所示的操作模式信號(hào)發(fā)生單元的一個(gè)示例性實(shí)施例的配置的電路圖。

圖4是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。

圖5是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。

具體實(shí)施方式