[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201110289509.9
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102543160A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 黃正太;李康悅
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種半導體存儲裝置，包括：

鍵合焊盤；

控制信號焊盤；以及

操作模式信號發生單元，所述操作模式信號發生單元被配置為響應于經由所述鍵合焊盤輸入的鍵合信號和經由所述控制信號焊盤輸入的控制信號來產生多個操作模式信號。

2.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述多個操作模式信號包括用于指定第一輸入/輸出模式的第一操作模式信號、用于指定第二輸入/輸出模式的第二操作模式信號、以及用于指定晶片老化測試模式的第三操作模式信號。

3.如權利要求2所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制信號在所述第一輸入/輸出模式下用于所述半導體存儲裝置的正常操作，而在所述第二輸入/輸出模式或所述晶片老化測試模式下不用于所述半導體存儲裝置的正常操作。

4.如權利要求3所述的半導體存儲裝置，其中，所述控制信號是地址信號和選通信號中的任一個。

5.如權利要求2所述的半導體存儲裝置，還包括：

緩沖器單元，所述緩沖器單元被配置為響應于所述第二操作模式信號或所述第三操作模式信號而阻止所述控制信號的輸入。

6.如權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中，所述操作模式信號發生單元包括：

模式控制信號發生部，所述模式控制信號發生部被配置為響應于所述鍵合信號而從所述控制信號產生模式控制信號；以及

模式譯碼部，所述模式譯碼部被配置為響應于所述鍵合信號和所述模式控制信號來產生所述多個操作模式信號。

7.如權利要求6所述的半導體存儲裝置，其中，只有當所述鍵合信號具有預定的電平時，所述模式控制信號發生部才根據所述控制信號的電平來產生所述模式控制信號。

8.一種半導體存儲裝置，包括：

鍵合焊盤；

地址焊盤；

選通焊盤；以及

操作模式信號發生單元，所述操作模式信號發生單元被配置為響應于經由所述鍵合焊盤輸入的鍵合信號、經由所述地址焊盤輸入的地址信號、以及經由所述選通焊盤輸入的選通信號來確定第一至第四操作模式。

9.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，當所述鍵合信號具有第一電平時，不管所述地址信號和所述選通信號如何，所述操作模式信號發生單元都產生指定所述第一操作模式的第一操作模式信號。

10.如權利要求9所述的半導體存儲裝置，其中，當所述鍵合信號具有第二電平時，所述操作模式信號發生單元響應于所述地址信號和所述選通信號來確定所述第二至第四操作模式中的一個。

11.如權利要求10所述的半導體存儲裝置，其中，當所述鍵合信號具有所述第二電平并且所述選通信號具有所述第一電平時，不管所述地址信號如何，所述操作模式信號發生單元都產生指定所述第二操作模式的第二操作模式信號。

12.如權利要求10所述的半導體存儲裝置，其中，當所述鍵合信號具有所述第二電平、所述選通信號具有所述第二電平并且所述地址信號具有所述第一電平時，所述操作模式信號發生單元產生指定所述第三操作模式的第三操作模式信號。

13.如權利要求10所述的半導體存儲裝置，其中，當所述鍵合信號具有所述第二電平、所述選通信號具有所述第二電平并且所述地址信號具有所述第二電平時，所述操作模式信號發生單元產生指定所述第四操作模式的第四操作模式信號。

14.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述選通信號用在所述第一操作模式下，而不用在所述第二至第四操作模式下。

15.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述地址信號用在所述第一和第二操作模式下，而不用在所述第三和第四操作模式下。

16.如權利要求8所述的半導體存儲裝置，其中，所述第一至第四操作模式中的每個是X4輸入/輸出模式、X8輸入/輸出模式、X16輸入/輸出模式和晶片老化測試模式中的一種模式。

17.一種半導體存儲裝置，包括：

鍵合焊盤；以及

控制信號焊盤，

其中，所述半導體存儲裝置在第一操作模式下經由所述控制信號焊盤接收控制信號，在第二操作模式和第三操作模式下經由所述控制信號焊盤接收鍵合信號而非所述控制信號。