[發明專利]保護厚金屬層光刻對準標記的方法

無效

• 申請號: 201110288823.5
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103021803A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 蘇波
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/312;G03F7/00;G03F9/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

技術領域

本發明涉及一種光學光刻工藝，具體涉及一種保護厚金屬層光刻對準標記的方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，應用于大電流與高電壓場合的芯片，通常需要在芯片制造過程中使用厚度大于1um的厚金屬層，比如DMOS工藝、AOS分立器件、IGBT等工藝中都有厚金屬層的應用。

在光刻工藝過程中，由于金屬層是不透光的，對準信號波形是來源于入射光在金屬表面不同落差形成反射的差異。但是在采用厚金屬工藝時，厚金屬層覆蓋在前層留下的光刻對準標記上時，對準標記幾乎完全被填平，嚴重影響對準標記的形貌，造成對準信號很微弱；同時由于厚金屬需要較長的成膜時間和溫度，晶粒一般較為粗大，雜波信號會干擾光刻機的對準識別，最終導致在光刻對準時發生困難。

為此，需要通過改善金屬層的質量和光刻對準標記的尺寸來優化，從中找出一些可以用條件。但是，這些方法的效果都很不明顯，優化空間也十分有限。一旦有工藝變動，又需要重新進行實驗評估，無法實現規模化生產。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種保護厚金屬層光刻對準標記的方法，它可以解決厚金屬層光刻的對準問題。

為解決上述技術問題，本發明保護厚金屬層光刻對準標記的方法的技術解決方案為，包括以下步驟：

第一步，在介質層的表面形成光刻對準標記；

第二步，在介質層的表面涂布光刻膠；所涂布的光刻膠的厚度大于待沉積的厚金屬層的厚度。

所涂布的光刻膠的厚度大于1um。

所述第二步涂布光刻膠之前，對晶片表面進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角。

第三步，對涂布有光刻膠的晶片進行曝光、顯影，保留光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠，去除其它區域覆蓋的光刻膠；

所述第三步之后，通過酸性或有機溶劑進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角。

第四步，在晶片表面沉積厚金屬層；

第五步，剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的厚金屬層。

所述第五步剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的金屬層的方法為采用有機溶劑浸泡。

所述有機溶劑是苯類、酮類、醚類或醇類的一種或者幾種的混合物。

本發明可以達到的技術效果是：

本發明采用光刻膠剝離工藝保護厚金屬層光刻對準標記，使對準標記完全不受厚金屬層工藝的影響，能夠從根本上解決厚金屬層光刻對準的問題。

本發明能夠使厚金屬層覆蓋后，光刻對準標記仍保持原來的形貌，使光刻對準過程容易實現，提高了光刻對準的精度。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1至圖5是本發明保護厚金屬層光刻對準標記的方法的過程示意圖。

具體實施方式

本發明保護厚金屬層光刻對準標記的方法，包括以下步驟：

第一步，在介質層(即襯底)的表面形成光刻對準標記，如圖1所示；

第二步，在介質層的表面涂布光刻膠，光刻膠的厚度大于待沉積的厚金屬層的厚度，如圖2所示；

在光刻膠涂布前，可以對晶片表面進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角；

第三步，對涂布有光刻膠的晶片進行曝光、顯影，保留光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠，去除其它區域覆蓋的光刻膠，如圖3所示；

在曝光、顯影后可以通過酸性或有機溶劑進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角；

第四步，在晶片表面沉積厚金屬層，如圖4所示；

第五步，剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的厚金屬層，如圖5所示；

剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的金屬層的方法為采用有機溶劑浸泡；有機溶劑可以是苯類、酮類、醚類或醇類的一種或者幾種的混合物。

本發明通過光刻膠剝離方法，在厚金屬層沉積后，將對準標記區域的光刻膠及覆蓋其上的厚金屬層一起去除。這樣在厚金屬層覆蓋后，光刻對準標記仍保持原來的形貌，使光刻對準過程容易實現，提高了光刻對準精度。