[發明專利]保護厚金屬層光刻對準標記的方法

無效

• 申請號: 201110288823.5
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103021803A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 蘇波
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/312;G03F7/00;G03F9/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

1.一種保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，在介質層的表面形成光刻對準標記；

第二步，在介質層的表面涂布光刻膠；

第三步，對涂布有光刻膠的晶片進行曝光、顯影，保留光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠，去除其它區域覆蓋的光刻膠；

第四步，在晶片表面沉積厚金屬層；

第五步，剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的厚金屬層。

2.根據權利要求1所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述第二步所涂布的光刻膠的厚度大于待沉積的厚金屬層的厚度。

3.根據權利要求1所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述第二步所涂布的光刻膠的厚度大于1um。

4.根據權利要求1所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述第二步涂布光刻膠之前，對晶片表面進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角。

5.根據權利要求1或4所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述第三步之后，通過酸性或有機溶劑進行處理，使光刻膠的邊界區域形成倒角。

6.根據權利要求1所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述第五步剝離光刻對準標記所在區域上覆蓋的光刻膠及該光刻膠上覆蓋的金屬層的方法為采用有機溶劑浸泡。

7.根據權利要求6所述的保護厚金屬層光刻對準標記的方法，其特征在于，所述有機溶劑是苯類、酮類、醚類或醇類的一種或者幾種的混合物。