[發明專利]半導體集成裝置中的延遲電路以及逆變器有效
| 申請號： | 201110287252.3 | 申請日： | 2011-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN102544006A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 富田敬 | 申請（專利權）人： | OKI半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H02M7/515 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李偉;王軼 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 集成 裝置 中的 延遲 電路 以及 逆變器 | ||
1.一種半導體集成裝置中的延遲電路，其特征在于，該延遲電路是多個逆變器相互進行級聯連接而成的延遲電路，該逆變器包括：
一對第一FET，分別具有第一導電型的溝道，并且一個第一FET的漏極和另一個第一FET的源極在第一連接點上相互連接，且各自的柵極彼此在輸入點上連接，在所述一個第一FET的源極上施加有第一電位，且所述另一個第一FET的漏極與輸出點連接；及
一對第二FET，相互具有第二導電型的溝道，并且一個第二FET的漏極和另一個第二FET的源極在第二連接點上相互連接，且各自的柵極彼此在所述輸入點上相互連接，在所述一個第二FET的源極上施加有第二電位，且所述另一個第二FET的漏極與所述輸出點連接；
所述逆變器還包括：
第一附加FET，其在所述輸出點處于所述第二電位的狀態時，將所述第二電位施加到所述第一連接點；
第二附加FET，其向所述第一附加FET供給所述第二電位；
第三附加FET，其源極上施加有所述第一電位，且其漏極與所述第二附加FET的柵極連接；
第四附加FET，其源極上施加有所述第二電位，且其柵極以及漏極皆與所述第三附加FET的柵極連接；
第五附加FET，其在所述輸出點處于所述第一電位的狀態時，將所述第一電位施加到所述第二連接點；
第六附加FET，其向所述第五附加FET供給所述第一電位；
第七附加FET，其源極上施加有所述第二電位，且其漏極與所述第六附加FET的柵極連接；
第八附加FET，其源極上施加有所述第一電位，且其柵極以及漏極皆與所述第七附加FET的柵極連接。
2.根據權利要求1所述的半導體集成裝置中的延遲電路，其特征在于，
所述一對第一FET中的所述一個第一FET的源極上經由第一電阻而施加有所述第一電位，
所述一對第二FET中的所述一個第二FET的源極上經由第二電阻施加有所述第二電位。
3.根據權利要求1或2所述的半導體集成裝置中的延遲電路，其特征在于，
所述第一附加FET、所述第三附加FET、所述第六附加FET以及所述第八附加FET分別具有所述第一導電型的溝道；
所述第二附加FET、所述第四附加FET、所述第五附加FET以及所述第七附加FET分別具有所述第二導電型的溝道。
4.一種半導體集成裝置中的逆變器，其輸出使輸入信號的電平反轉的信號，其特征在于，該逆變器具有：
一對第一FET，分別具有第一導電型的溝道，并且一個第一FET的漏極和另一個第一FET的源極在第一連接點上相互連接，且各自的柵極彼此在輸入點上連接，在所述一個第一FET的源極上施加有第一電位，且所述另一個第一FET的漏極與輸出點連接；
一對第二FET，相互具有第二導電型的溝道，并且一個第二FET的漏極和另一個第二FET的源極在第二連接點上相互連接，且各自的柵極彼此在所述輸入點上相互連接，在所述一個第二FET的源極上施加有第二電位，且所述另一個第二FET的漏極與所述輸出點連接；
第一附加FET，其在所述輸出點處于所述第二電位的狀態時，將所述第二電位施加到所述第一連接點；
第二附加FET，其向所述第一附加FET供給所述第二電位；
第三附加FET，其源極上施加有所述第一電位，且其漏極與所述第二附加FET的柵極連接；
第四附加FET，其源極上施加有所述第二電位，且其柵極以及漏極皆與所述第三附加FET的柵極連接；
第五附加FET，其在所述輸出點處于所述第一電位的狀態時，將所述第一電位施加到所述第二連接點；
第六附加FET，其向所述第五附加FET供給所述第一電位；
第七附加FET，其源極上施加有所述第二電位，且其漏極與所述第六附加FET的柵極連接；以及
第八附加FET，其源極上施加有所述第一電位，且其柵極以及漏極皆與所述第七附加FET的柵極連接。
5.根據權利要求4所述的半導體集成裝置中的逆變器，其特征在于，
所述一對第一FET中的所述一個第一FET的源極上經由第一電阻施加有所述第一電位，
所述一對第二FET中的所述一個第二FET的源極上經由第二電阻施加有所述第二電位。
6.根據權利要求4或5所述的半導體集成裝置中的逆變器，其特征在于，
所述第一附加FET、所述第三附加FET、所述第六附加FET以及所述第八附加FET分別具有所述第一導電型的溝道；
所述第二附加FET、所述第四附加FET、所述第五附加FET以及所述第七附加FET分別具有所述第二導電型的溝道。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
