[發明專利]一種碳化硅薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110287216.7
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN102304701A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 饒志鵬;萬軍;夏洋;李超波;劉鍵;陳波;黃成強;石莎莉;李勇滔
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/32;C23C16/02
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將硅襯底放置于原子層沉積設備反應腔中；

向所述原子層沉積設備反應腔中通入含碳物質，所述含碳物質與所述硅襯底表面發生碳化學吸附，使得所述含碳物質中的碳原子吸附在所述硅襯底表面；

向所述原子層沉積設備反應腔中通入含硅物質，所述含硅物質與所述硅襯底表面發生鹵代反應，所述含硅物質中的硅原子與所述硅襯底表面的碳原子形成碳硅鍵，待反應完全后，所述硅襯底表面即生成碳化硅薄膜結構。

2.如權利要求1所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述將硅襯底放置于原子層沉積設備反應腔中的步驟之前還包括：所述硅襯底的表面經過標準液和氫氟酸處理，所述硅襯底處理后的表面含有硅氫鍵。

3.如權利要求1所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含碳物質為四氯化碳。

4.如權利要求3所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述四氯化碳的流速為10sccm-400sccm，進氣時間為0.5s-1s。

5.如權利要求1所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述含硅物質為硅烷。

6.如權利要求5所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅烷的流速為10sccm-100sccm，時間為0.5s-1s。

7.如權利要求1所述碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述在向所述原子層沉積設備反應腔中通入含碳物質或含硅物質的步驟之前還包括：向原子層沉積設備反應腔通入氬氣或氮氣。