[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110286931.9 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102332418A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙宏宇;吳儀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 運(yùn)送 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體晶圓的制造過程中,通常需要將其運(yùn)送到各處。
現(xiàn)有的運(yùn)送裝置,采用多個(gè)工藝單元線性排列在設(shè)備兩側(cè),中間采用多個(gè)機(jī)械手運(yùn)送晶圓,因而需要多個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)單元;系統(tǒng)設(shè)備整體呈單層結(jié)構(gòu),多個(gè)工藝單元位于同一水平面上。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致系統(tǒng)占地面積較大。
另外,系統(tǒng)機(jī)械手的數(shù)量多,內(nèi)部存儲(chǔ)單元多,因而增加了成本,增加了送片時(shí)間,影響了產(chǎn)量。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提供一種半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng),具有占地面積小的特點(diǎn),本發(fā)明還可以減少機(jī)械手的數(shù)量,減少內(nèi)部存儲(chǔ)單元的數(shù)目,降低了成本,減少了送片時(shí)間,提高了產(chǎn)量。
(二)技術(shù)方案
為解決上述問題,本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng),包括:至少兩個(gè)晶圓裝載埠、至少兩個(gè)工藝單元和運(yùn)送裝置;其中,
所述晶圓裝載埠,用于承載晶圓倉(cāng)儲(chǔ)盒;
所述工藝單元,包括至少兩層的層狀結(jié)構(gòu);
所述運(yùn)送裝置,用于拾取晶圓并將其放入所述工藝單元中。
優(yōu)選地,所述運(yùn)送裝置,包括:至少一個(gè)機(jī)械手和至少一個(gè)導(dǎo)軌,所述機(jī)械手,用于通過沿所述導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)拾取晶圓。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)軌水平布置,且其軌道的形狀與所述晶圓裝載埠的排列方式相適應(yīng)。
優(yōu)選地,所述機(jī)械手為雙臂多自由度機(jī)械手。機(jī)械手可以沿垂直方向上下移動(dòng),也可以作回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
優(yōu)選地,系統(tǒng)還包括:風(fēng)循環(huán)過濾裝置,布置于所述運(yùn)送裝置和所述工藝單元上方,用于確保達(dá)到半導(dǎo)體工藝的潔凈環(huán)境要求。使每個(gè)工藝單元都被風(fēng)循環(huán)過濾裝置覆蓋。
優(yōu)選地,所述風(fēng)循環(huán)過濾裝置,包括至少兩層的層狀結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,所述風(fēng)循環(huán)過濾裝置為側(cè)進(jìn)風(fēng)或上進(jìn)風(fēng)。
優(yōu)選地,系統(tǒng)還包括:能源儲(chǔ)藏柜,包括工藝藥液,工藝氣體和電源動(dòng)力,位于系統(tǒng)的后端或者底部。
(三)有益效果
本發(fā)明通過將工藝單元分層布置,有效地減小了系統(tǒng)的占地面積,本發(fā)明還通過將機(jī)械手與導(dǎo)軌相配合使用,減少了機(jī)械手的數(shù)量和內(nèi)部存儲(chǔ)單元的數(shù)目,因而能夠降低成本,同時(shí)本發(fā)明可以減少了送片時(shí)間,提高產(chǎn)量。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)的俯視圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實(shí)施方式中所述半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng)的工作流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍。
如圖1-3所示,本發(fā)明所述的半導(dǎo)體晶圓運(yùn)送系統(tǒng),包括:至少兩個(gè)晶圓裝載埠1、至少兩個(gè)工藝單元2和運(yùn)送裝置3;其中,
所述晶圓裝載埠1,用于承載晶圓倉(cāng)儲(chǔ)盒4;優(yōu)選地,所述晶圓裝載埠1排列成直線;
所述工藝單元2,包括至少兩層的層狀結(jié)構(gòu),優(yōu)選地,每一層中的所述工藝單元2排列成直線,且與所述晶圓裝載埠1平行;
所述運(yùn)送裝置3,用于拾取晶圓并將其放入所述工藝單元2中。
優(yōu)選地,所述運(yùn)送裝置3,包括:至少一個(gè)機(jī)械手5和至少一個(gè)導(dǎo)軌6,所述機(jī)械手,用于通過沿所述導(dǎo)軌6運(yùn)動(dòng)拾取晶圓。例如:采用一個(gè)機(jī)械手5和一個(gè)導(dǎo)軌6。
優(yōu)選地,所述導(dǎo)軌6水平布置,且其軌道的形狀與所述晶圓裝載埠1的排列方式相適應(yīng)。導(dǎo)軌6的軌道的形狀與多個(gè)在同一層的晶圓裝載埠1的排列形狀相同,以便于機(jī)械手5取放晶圓。
優(yōu)選地,導(dǎo)軌6為直線導(dǎo)軌。且沿水平方向與排列成直線的晶圓裝載埠1平行。
優(yōu)選地,所述機(jī)械手5為雙臂多自由度機(jī)械手。機(jī)械手5可以沿垂直方向上下移動(dòng),也可以作回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。
優(yōu)選地,系統(tǒng)還包括:風(fēng)循環(huán)過濾裝置7,布置于所述運(yùn)送裝置3和所述工藝單元2上方,用于確保達(dá)到半導(dǎo)體工藝的潔凈環(huán)境要求。使每個(gè)工藝單元2都被風(fēng)循環(huán)過濾裝置7覆蓋。
優(yōu)選地,所述風(fēng)循環(huán)過濾裝置7,包括至少兩層的層狀結(jié)構(gòu),優(yōu)選地,每一層中的所述風(fēng)循環(huán)過濾裝置7排列成直線。
優(yōu)選地,所述風(fēng)循環(huán)過濾裝置7為側(cè)進(jìn)風(fēng)或上進(jìn)風(fēng)。
優(yōu)選地,系統(tǒng)還包括:能源儲(chǔ)藏柜8,包括工藝藥液、工藝氣體和電源動(dòng)力,位于系統(tǒng)的后端或者底部。
如圖4所示,本發(fā)明的工作過程:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





