[發(fā)明專利]砷化鎵表面自體氧化物清洗、純化及淀積Al2O3介質(zhì)的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110285677.0
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102339775A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫清清;房潤辰;楊雯;王鵬飛;張衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/316;B08B3/08
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種砷化鎵表面自體氧化物清洗、純化及淀積Al₂O₃介質(zhì)的方法，其特征在于具體步驟為：

(1)砷化鎵樣品經(jīng)過常規(guī)的化學(xué)清洗后，立即放入事先配置好的硫鈍化溶液中，硫鈍化溶液由1-5g硫代乙酰胺、1-4ml無水乙醇和1-4ml氨水所組成，鈍化反應(yīng)的溫度25℃-60℃，鈍化時間為5-30min；

(2)鈍化結(jié)束后，再用去離子水漂洗砷化鎵樣品10-60秒，然后用高純的氮?dú)獯迪礃悠?-15秒，然后立刻裝入原子層淀積反應(yīng)腔中；

(3)在生長氧化鋁薄膜介質(zhì)之前，先進(jìn)行砷化鎵樣品的三甲基鋁的預(yù)處理反應(yīng)，預(yù)處理的條件為：三甲基鋁氣體通入原子層淀積反應(yīng)腔中2-8分鐘，氮?dú)獯迪?0-60秒鐘；

(4)用原子層淀積的方法生長需要的高質(zhì)量的Al₂O₃薄膜介質(zhì)，反應(yīng)源分別為三甲基鋁和去離子水，淀積反應(yīng)的溫度為250-350℃，反應(yīng)腔氣壓小于15托，氧化物薄膜的厚度通過控制原子層反應(yīng)循環(huán)周期次數(shù)調(diào)節(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于步驟（4）中單個反應(yīng)周期依次為：1-5秒的三甲基鋁氣體通入，2-10秒鐘的氮?dú)獯迪矗?-5秒的去離子水蒸汽通入，2-10秒的氮?dú)獯迪础?/p>