[發(fā)明專利]薄膜形成用氣相沉積材、具備該薄膜的薄膜片材和層壓片材

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110285639.5
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102433531A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黛良享;有泉久美子;吉田勇氣;櫻井英章
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;B32B9/04;C04B35/03
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種氣相沉積材，為混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的氣相沉積材，其特征在于，

所述第一氧化物粉末為MgO粉末，所述第一氧化物粉末的第一氧化物純度為98％以上，

所述第二氧化物粉末為CaO粉末，所述第二氧化物粉末的第二氧化物純度為98％以上，

所述氣相沉積材由含有所述第一氧化物粉末和所述第二氧化物粉末的顆粒構(gòu)成，

所述氣相沉積材中的第一氧化物與第二氧化物的摩爾比為5～99∶95～1，且所述顆粒的堿度為0.1以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積材，所述第一氧化物粉末的平均粒徑為0.1～10μm，且所述第二氧化物粉末的平均粒徑為0.1～10μm。

3.一種薄膜片材，通過將權(quán)利要求1或2所述的氣相沉積材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金屬元素A和所述第二氧化物所含的金屬元素B的氧化物薄膜，

所述薄膜中的全部金屬元素的含有比例設(shè)為100摩爾％時，所述金屬元素A的含有比例為5～99摩爾％，所述金屬元素B的含有比例為95～1摩爾％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜片材，所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應(yīng)性等離子體沉積法、電阻加熱法或感應(yīng)加熱法中的任意一種。

5.一種層壓片材，在權(quán)利要求3或4所述的薄膜片材的薄膜形成側(cè)通過粘接層層壓第二基材薄膜而成。