[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110285443.6
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN103022275A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 胡必強;許時淵
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)的封裝方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管的封裝方法。

背景技術(shù)

與傳統(tǒng)光源相比，發(fā)光二極管具有無汞、體積小、光學特性佳等優(yōu)點。隨著發(fā)光二極管發(fā)光效率的不斷提升，越來越多的發(fā)光二極管被用作光源。

發(fā)光二極管晶粒采用共晶結(jié)構(gòu)固定時，其散熱效率增加且壽命更長。常見的發(fā)光二極管封裝過程中，先提供一具有電極結(jié)構(gòu)及反射杯的封裝基板，然后在封裝基板上的反射杯內(nèi)設置發(fā)光二極管晶粒，接著通過共晶技術(shù)使發(fā)光二極管晶粒與封裝基板相結(jié)合固定，然后在發(fā)光二極管晶粒上方形成熒光粉層及覆蓋層，以覆蓋發(fā)光二極管晶粒。然而，采用共晶技術(shù)時需要在高溫環(huán)境下進行，上述封裝過程中，基板等封裝結(jié)構(gòu)在后續(xù)的高溫環(huán)境下容易變質(zhì)或黃化，進而影響發(fā)光二極管的封裝品質(zhì)和制程良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在提供一種能夠提高封裝品質(zhì)和制程良率的發(fā)光二極管封裝方法。

一種發(fā)光二極管封裝方法，包括以下步驟:

提供一導電架，該導電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；

提供一發(fā)光二極管晶粒，采用共晶技術(shù)將該發(fā)光二極管晶粒固定在該導電架上，并使該發(fā)光二極管晶粒分別與所述第一電極和第二電極形成電性連接；

提供一覆蓋層，使該覆蓋層包覆所述發(fā)光二極管晶粒及部分導電架；

形成一基座，該基座環(huán)繞該覆蓋層并局部覆蓋導電架；及

將一封裝層覆蓋形成于該覆蓋層上。

與先前技術(shù)相比，該種方法先將發(fā)光二極管晶粒在高溫環(huán)境下通過共晶結(jié)合固定在導電架上，然后再形成其他封裝結(jié)構(gòu)，從而避免高溫環(huán)境損壞其他封裝結(jié)構(gòu)，進而提升發(fā)光二極管封裝體的品質(zhì)，提高制程良率。

附圖說明

圖1至圖5為本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管的封裝方法的各步驟示意圖。

主要元件符號說明

發(fā)光二極管100導電架10第一電極11第二電極12發(fā)光二極管晶粒20覆蓋層30基座40封裝層50承載部41反射部42收容槽411貼合部412收容空間422凸塊60

如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。

具體實施方式