[發明專利]發光二極管的封裝方法

有效

• 申請號: 201110285443.6
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN103022275A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 胡必強;許時淵
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝方法，其包括步驟：

提供一導電架，該導電架包括相互間隔的第一電極和第二電極；

提供一發光二極管晶粒，采用共晶技術將該發光二極管晶粒固定在該導電架上，并使該發光二極管晶粒分別與所述第一電極和第二電極形成電性連接；

提供一覆蓋層，使該覆蓋層包覆所述發光二極管晶粒及部分導電架；

形成一基座，該基座環繞該覆蓋層并局部覆蓋導電架；及

將一封裝層覆蓋形成于該覆蓋層上。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，采用共晶技術固定發光二極管晶粒的溫度高于310℃。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，所述基座包括一反射部和一承載部，該反射部和承載部分別位于所述導電架的上、下兩側，該反射部環繞該覆蓋層，該導電架的第一、第二電極穿設于反射部和承載部之間。

4.如權利要求3所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，該第一電極及第二電極的遠離發光二極管晶粒的端部伸出至基座之外。

5.如權利要求3所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，所述承載部包括一收容槽，該收容槽貼合該覆蓋層的下表面并收容該覆蓋層。

6.如權利要求5所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，所述承載部還包括位于收容槽兩側并向上延伸的兩貼合部，所述兩貼合部相互對稱，該兩貼合部的上表面分別與第一電極的部分下表面、第二電極的部分下表面相貼合。

7.如權利要求3所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，所述反射部包括一收容空間，該收容空間將所述覆蓋層收容在內。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，該反射部的下表面分別與所述第一電極的部分上表面、第二電極部分的上表面相貼合。

9.如權利要求1所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，該覆蓋層包覆導電架第一電極和第二電極鄰近發光二極管晶粒的端部。

10.如權利要求1所述的發光二極管封裝方法，其特征在于，該基座采用嵌入模壓技術形成。