[發明專利]用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管及相應的真空泵無效
| 申請號: | 201110285412.0 | 申請日: | 2011-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN102304702A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 陳鵬 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 歐陽啟明 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 化學 沉積 機臺 真空泵 排氣管 相應 | ||
技術領域
本發明涉及半導體生產領域,特別是涉及可延長機臺的維護周期的用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管及相應的真空泵。
背景技術
PECVD(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition:等離子體增強化學氣相沉積)機臺在整個TF?T(Thin?Film?Transistor:薄膜場效應晶體管)制造中負責多個薄膜層的氣相沉積。如圖1所示,100為PECVD機臺的反應室,200為真空泵,300為真空泵的排氣管,400為廢氣處理機(scrubber)。在沉積過程中,薄膜不僅會在玻璃基板表面上生長,也會在反應室100的內壁上生長,沒有反應完的氣體會被真空200泵抽至廢氣處理機400內做燃燒處理。在整個化學氣相沉積過程中,總的氣體利用率不到10%,大量沒有反應的氣體被排走。廢氣被排至真空泵200的出口端時,壓力會回升至600帕,溫度降低到100度左右,O2濃度迅速升高。此時廢氣中的成分有SiH4、H2、N2以及NH3等。廢氣中的氣體相互反應或者與排氣管300的內壁反應,生成粉末堵塞真空泵200出口端的排氣管300,使真空泵200出口端的排氣管300排氣不暢,導致主機臺報警,產品報廢。目前對于真空泵200出口端的排氣管300易堵的主要處理辦法是:每兩周將真空泵200出口端的排氣管300拆除,用水洗凈并干燥后重新裝入。整個過程需兩人作業,一個反應室的清潔管路作業耗時約1小時,浪費人力以及時間,影響機臺設備的可使用時間。
故,有必要提供一種用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管及相應的真空泵,以解決現有技術所存在的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種不易產生堵塞的用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管及相應的真空泵,以解決現有技術的真空泵出口端的排氣管易產生堵塞造成清理排氣管的人力、時間的浪費以及對PECVD機臺設備可使用時間的影響的技術問題。
本發明涉及一種用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管,其兩端分別與所述真空泵的出口端以及廢氣處理機連接,其特征在于,在所述排氣管中設置有緊貼所述排氣管內壁的防粘內襯管。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管的材料為聚四氟乙烯。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管設置在所述真空泵的出口端與所述排氣管的連接處。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管設置在所述廢氣處理機與所述排氣管的連接處。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管同時設置在所述真空泵的出口端與所述排氣管的連接處,以及所述廢氣處理機與所述排氣管的連接處。
在本發明的一實施例中,所述排氣管在未設置所述防粘內襯管的相應部位的外表面設置有加熱帶。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管設置在整個所述排氣管的內壁。
本發明還涉及一種用于化學氣相沉積機臺的真空泵,其兩端分別與所述化學氣相沉積機臺的排氣口以及廢氣處理機連接,所述真空泵包括與所述廢氣處理機連接的排氣管,其中在所述排氣管中設置有緊貼所述排氣管內壁的防粘內襯管,所述防粘內襯管的材料為聚四氟乙烯。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管設置在所述真空泵的出口端與所述排氣管的連接處和/或所述廢氣處理機與所述排氣管的連接處。
在本發明的一實施例中,所述防粘內襯管設置在整個所述排氣管的內壁。
相較于現有的用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管易產生堵塞造成清理排氣管的人力、時間的浪費以及對PECVD機臺設備可使用時間的影響,本發明的用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管及相應的真空泵使用材料為聚四氟乙烯的防粘內襯管使得化學氣相沉積機臺排出的廢氣不易在排氣管中產生堵塞,從而避免上述現有技術的缺陷。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂,下文特舉優選實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1為現有技術的化學氣相沉積、排氣以及廢氣處理系統的連接示意圖;
圖2為本發明的用于化學氣相沉積機臺的真空泵的排氣管的優選實施例的連接示意圖;
圖3為圖1的A-A的截面圖;
圖4為圖1的B-B的截面圖。
具體實施方式
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





