[發(fā)明專利]隔離結(jié)構(gòu)和包含隔離結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110285269.5
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102709286A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李仲仁;任興華;江昱德
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種隔離結(jié)構(gòu)，包括：

一摻雜半導(dǎo)體層，位于一半導(dǎo)體基底的一溝渠中，且具有與該基底相同的導(dǎo)電型；

一柵介電層，位于該摻雜半導(dǎo)體層和該基底之間；以及

一擴散區(qū)，位于該基底中，是以從該摻雜半導(dǎo)體層穿過該柵介電層而來的摻質(zhì)擴散而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)，其中還包括

一金屬層，位于該溝渠中及該摻雜半導(dǎo)體層下，其中該柵介電層亦介于該金屬層及該基底之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離結(jié)構(gòu)，其中該金屬層的材質(zhì)包括氮化鈦(TiN)或氮化鉭(TaN)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)，其中該摻雜半導(dǎo)體層及該基底的該導(dǎo)電型是p型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)，其中該摻雜半導(dǎo)體層及該基底的該導(dǎo)電型是n型。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)，其中該摻雜半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。

7.一種元件結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基底，具有第一導(dǎo)電型；

一隔離結(jié)構(gòu)，包括：具有該第一導(dǎo)電型且位于該基底的第一溝渠中的第一摻雜半導(dǎo)體層、介于該第一摻雜半導(dǎo)體層及該基底之間的一柵介電層，以及位于該基底中，以從該第一摻雜半導(dǎo)體層穿過該柵介電層而來的摻質(zhì)擴散而形成的一擴散區(qū)；

第一垂直晶體管，位于該隔離結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的該基底中，且包括該擴散區(qū)旁的第一源/漏極區(qū)及位于該第一源/漏極區(qū)上方的第二源/漏極區(qū)，該第一源/漏極區(qū)及該第二源/漏極區(qū)都具有第二導(dǎo)電型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該隔離結(jié)構(gòu)還包括位于該第一溝渠中及該第一摻雜半導(dǎo)體層下的一金屬層，且該柵介電層亦介于該金屬層及該基底之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電型是p型且該第二導(dǎo)電型是n型。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電型是n型且該第二導(dǎo)電型是p型。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)，其是一動態(tài)隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，且還包括耦接到該第二源/漏極區(qū)的一電容器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該第一源/漏極區(qū)與一埋入式位元線接觸，且該埋入式位元線位于該基底中的第二溝渠中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該埋入式位元線包括：一金屬層，以及該金屬層上具有該第二導(dǎo)電型的第二摻雜半導(dǎo)體層，且該第二摻雜半導(dǎo)體層與該第一源/漏極區(qū)接觸。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的元件結(jié)構(gòu)，其中該第一源/漏極區(qū)是以從該第二摻雜半導(dǎo)體層而來的摻質(zhì)擴散而形成。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的元件結(jié)構(gòu)，其中有二埋入式位元線平行配置在該第二溝渠中。

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件結(jié)構(gòu)，還包括位于該隔離結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，即該隔離結(jié)構(gòu)的該第一側(cè)的相反側(cè)的第二垂直晶體管。