[發明專利]拼接式模盤組無效
| 申請號: | 201110285265.7 | 申請日: | 2011-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN102320156A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 石書田;李遠;張慶瑞 | 申請(專利權)人: | 北京奧科瑞豐機電技術有限公司 |
| 主分類號: | B30B15/02 | 分類號: | B30B15/02;B30B15/34 |
| 代理公司: | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人: | 王維新 |
| 地址: | 100101 北京市朝陽*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拼接 式模盤組 | ||
1.一種拼接式模盤,包括上模盤與下模盤,所述上模盤設置在所述下模盤的頂部,所述下模盤由下模盤基體與安裝在所述下模盤基體上的多個模塊構成,在所述上模盤與所述下模盤基體的內部還分別設有用于放置加熱管的加熱槽,其特征在于,還包括擋圈與鑲嵌塊,所述擋圈設置在所述上模盤與所述下模盤之間,所述鑲嵌塊鑲嵌在所述上模盤與所述下模盤基體表面設置的鑲嵌孔中,所述鑲嵌孔呈環形分布在所述上模盤與所述下模盤基體表面,所述鑲嵌塊還卡設在所述擋圈邊緣的定位口中,所述鑲嵌塊設置在所述模塊的前端。
2.根據權利要求1所述的拼接式模盤,其特征在于,所述擋圈分為第一擋圈與第二擋圈,所述定位口設置在所述第一擋圈與所述第二擋圈的外側邊緣,所述定位口與所述鑲嵌塊、所述上模盤中的所述鑲嵌孔a、所述下模盤中的所述鑲嵌孔b以及所述模塊的數量相同。
3.根據權利要求2所述的拼接式模盤,其特征在于,所述第一擋圈設置在所述下模盤的底部表面,所述第二擋圈設置在所述下模盤基體的頂部表面,所述第二擋圈的頂部表面與所述下模盤基體的頂部表面同平面設置,所述鑲嵌孔卡設在所述第一擋圈與所述第二擋圈的定位口中。
4.根據權利要求3所述的拼接式模盤,其特征在于,所述模塊呈環形分布在所述下模盤基體的頂部表面,所述模塊的末端與所述下模盤基體的外側端面同平面設置,所述鑲嵌孔設置在所述模塊的前端。
5.根據權利要求4所述的拼接式模盤,其特征在于,所述鑲嵌塊貫穿于所述上模盤以及所述下模盤基體表面的所述鑲嵌孔中,所述鑲嵌塊的頂部端面與所述上模盤的頂部端面同平面設置,所述鑲嵌塊的底部端面與所述下模盤基體的底部端面同平面設置。
6.根據權利要求5所述的拼接式模盤,其特征在于,所述鑲嵌塊的前端面為“工”字形結構,所述鑲嵌塊的后端面為矩形結構,所述鑲嵌塊的前端面與左、右兩側壁分別卡設在所述第一擋圈與所述第二擋圈外側邊緣的定位口中。
7.根據權利要求6所述的拼接式模盤,其特征在于,所述加熱槽分為第一加熱槽與第二加熱槽,所述第一加熱槽以及第二加熱槽均與所述上模盤以及所述下模盤基體為環形結構,所述第一加熱槽與所述第二加熱槽采用螺旋狀方式設置在所述上模盤與所述下模盤基體中。
8.根據權利要求7所述的拼接式模盤,其特征在于,所述第一加熱槽的頂部端口設置在所述上模盤內壁的頂部,所述第一加熱槽的底部端口設置在所述上模盤內壁的底部,所述第二加熱槽的頂部端口設置在所述下模盤內壁的頂部,所述第二加熱槽的底部端口設置在所述下模盤內壁的底部。
9.根據權利要求1至8中任意一項所述的拼接式模盤,其特征在于,所述鑲嵌塊、所述鑲嵌孔a、所述鑲嵌孔b、所述模塊以及所述定位口的數量均為45個。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京奧科瑞豐機電技術有限公司,未經北京奧科瑞豐機電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110285265.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體器件及其制造方法
- 下一篇:一種在晶圓上淀積摻氟氧化硅薄膜的方法





