[發(fā)明專利]用于集成電路封裝件的多步驟成型方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110285150.8 | 申請日: | 2008-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN102339765A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·W·恩格爾;N·夏爾馬;W·P·泰勒 | 申請(專利權(quán))人: | 阿萊戈微系統(tǒng)公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;G01D11/24 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 張文達 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 集成電路 封裝 步驟 成型 方法 裝置 | ||
本申請是申請日為2008年2月11日、申請?zhí)枮?00880008895.6、發(fā)明名稱為“集成電路封裝件和集成電路裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有技術(shù)中公知地,集成電路(IC)包括引線框以支承著裸晶(die,或裸芯片)且為IC封裝件提供外部連接結(jié)構(gòu)。例如,裸晶和引線框指狀部之間的連接結(jié)構(gòu)可由接合引線來制成。對于塑料封裝件而言,引線框/裸晶組件由塑料材料來包覆成型。
在一種傳統(tǒng)的封裝件中,傳感器包括具有背側(cè)部的、所謂K型組件,其中磁體連接到所述背側(cè)部上。連接有磁體的所述組件被模制或包裹到傳感器殼體中。在一個公知的方法中,裸晶被連接到引線框上,通量集中器(flux?concentrator)和/或磁體被連接,且所述組件被包覆成型。
在成型過程中,相對纖細的接合引線可能會由于塑料的受壓流動而斷裂。此外,接合引線的易斷性也限制了成型過程的效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了用于集成電路的方法和裝置,其具有被施加的第一成型材料以保護位于裸晶和引線指之間的接合引線連接結(jié)構(gòu),以及具有被施加在第一成型材料上的第二成型材料。通過利用第一成型材料來保護接合引線,使得可以使用相對高的壓力來施加第二成型材料。利用這種結(jié)構(gòu),由于接合引線受到的損壞較少而提高了產(chǎn)量。盡管本發(fā)明主要參考傳感器集成電路來顯示和描述,但是可以理解本發(fā)明也可應(yīng)用于一般的集成電路,其用于保護纖細的連接件免受裸晶的損害。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,本發(fā)明涉及一種方法,其包括:將裸晶連接到具有引線指狀部的引線框架上;將接合引線連接到裸晶和引線指狀部之間;在接合引線、裸晶、引線指狀部的至少一部分上施加第一成型材料,以形成組件;等待直至第一成型材料至少部分地硬化;以及在所形成的組件上施加第二成型材料。
上述方法還進一步包括以下的一個或多個特征:僅在引線框的裸晶側(cè)施加成型材料;施加第一成型材料以封裝著接合引線;施加第一成型材料以在引線框上封裝著裸晶;至少部分地基于與磁體的膨脹系數(shù)的相似性,來選擇第一成型材料所用的材料;第一成型材料和第二成型材料是不同的;至少部分地基于填充料的尺寸,來選擇用于第一成型材料和/或第二成型材料所用的材料;在某一壓力下施加第二成型材料,其中施加第二成型材料所用的壓力顯著地高于施加第一成型材料所用的壓力;所述裸晶包括一個或多個霍爾元件;將集中器連接到組件上;所述接合引線包括金線。
本發(fā)明的另一方面涉及一種集成電路裝置,其包括:裸晶,其連接到具有引線指狀部的引線框架上;接合引線,其連接到裸晶和引線指狀部之間;第一成型材料,其覆蓋著接合引線、裸晶、引線指狀部的至少一部分,以形成組件;以及第二成型材料,其對所述組件進行包覆成型。
上述裝置還進一步包括以下的一個或多個特征:第一成型材料僅位于引線框的裸晶側(cè);第一成型材料封裝著接合引線;第一成型材料封裝著引線框上的裸晶;第一成型材料的膨脹系數(shù)與磁體的膨脹系數(shù)相兼容;第一成型材料和第二成型材料是不同的;所述裸晶包括一個或多個霍爾元件;所述接合引線包括金線。
附圖說明
通過以下的詳細說明以及附圖,將更加完全地理解本發(fā)明所包含的示例性實施例,其中:
圖1是示例性集成電路的示意圖,其包括根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的多步驟成型過程。
圖1A是圖1的集成電路的示意立體圖。
圖2A是示例性集成電路的透視俯視圖,其包括根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的多步驟成型過程。
圖2B是圖2A的集成電路的透視側(cè)部線條圖。
圖3是示例性集成電路的局部透視立體圖,其包括根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的多步驟成型過程。
圖4是流程圖,顯示了示例性步驟順序,以實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的集成電路所用的多步驟成型過程。
圖5是具有接合引線的集成電路傳感器的示意立體圖,所述集成電路傳感器由第一成型材料所防護,以形成由第二成型材料所包覆成型的組件。
具體實施方式
圖1顯示了作為傳感器的示例性集成電路(IC)100,其由根據(jù)本發(fā)明示例性的多步驟成型過程而制造。在示例性實施例中,傳感器100是齒輪齒傳感器,以探測在齒輪12上的齒10的移動。總體而言,第一成型步驟用來防護接合引線。在第一成型工藝完成之后,實行第二成型步驟以完成最終的封裝結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





