[發明專利]用于集成電路封裝件的多步驟成型方法和裝置

有效

• 申請號: 201110285150.8
• 申請日: 2008-02-11
• 公開（公告）號: CN102339765A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: R·W·恩格爾;N·夏爾馬;W·P·泰勒
• 申請（專利權）人: 阿萊戈微系統公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;G01D11/24
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張文達

1.一種方法，其包括：

將裸晶連接到具有引線指狀部的引線框架上；

將接合引線連接到裸晶和引線指狀部之間；

在接合引線、裸晶、引線指狀部的至少一部分上施加第一成型材料，以形成組件；

等待直至第一成型材料至少部分地硬化；以及

在所形成的組件上施加第二成型材料。

2.如權利要求1所述的方法，其包括僅在引線框的裸晶側施加成型材料。

3.如權利要求1所述的方法，其包括施加第一成型材料以封裝著接合引線。

4.如權利要求3所述的方法，其包括施加第一成型材料以在引線框上封裝著裸晶。

5.如權利要求1所述的方法，其包括至少部分地基于與磁體的膨脹系數的相似性，來選擇第一成型材料所用的材料。

6.如權利要求1所述的方法，其中第一成型材料和第二成型材料是不同的。

7.如權利要求1所述的方法，其包括至少部分地基于填充料的尺寸，來選擇用于第一成型材料和/或第二成型材料所用的材料。

8.如權利要求1所述的方法，其包括在某一壓力下施加第二成型材料，其中施加第二成型材料所用的壓力顯著地高于施加第一成型材料所用的壓力。

9.如權利要求8所述的方法，其包括在一定壓力下施加第二成型材料，以消除在形成了磁性傳感器的一部分的磁體中或其周圍的空隙。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述裸晶包括磁場傳感器。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述磁場傳感器包括一個或多個霍爾元件。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述磁場傳感器包括磁阻元件。

13.如權利要求1所述的方法，其還包括將集中器連接到組件上。

14.如權利要求1所述的方法，其中所述接合引線包括金線。

15.如權利要求1所述的方法，其包括在引線框中設置一個或多個凹口，以將裸晶緊固就位。