[發明專利]半導體激光裝置及光裝置

無效

• 申請號: 201110284387.4
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN102468608A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 香月陽介;別所靖之
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋光學設計株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/02;H01S5/42
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

技術領域

本專利申請基于如下的在先申請主張優先權，并將其內容在此引用，該在先申請號為JP2010-242440，半導體激光裝置及光裝置，2010年10月28日，Yousuke?Katsuki等。

本發明涉及半導體激光裝置及光裝置，尤其涉及具備經由電極接合有多個半導體激光元件的基臺、受光元件的半導體激光裝置及光裝置。

背景技術

目前，已知有具備經由電極接合多個半導體激光元件的基臺、受光元件的半導體激光裝置。這樣的半導體激光裝置例如在日本特開2004-55744號公報中公開。

在日本特開2004-55744號公報中公開了如下所述的半導體激光裝置，該半導體激光裝置具備基臺、在基臺的上表面上沿規定的方向(橫向)排列配置的多個半導體激光元件、配置在半導體激光元件的后方且監視激光強度的受光元件。在該半導體激光裝置中，在基臺的上表面上以橫向排列的方式形成有多個電極，在各電極的上表面上分別接合半導體激光元件。另外，在各電極上的半導體激光元件的接合區域外的部分設有引線接合部。此外，多個半導體激光元件中橫向的端部(兩端部)以外的內側的半導體激光元件所接合的電極的引線接合部在相鄰的半導體激光元件之間的區域橫向突出。

然而，在日本特開2004-55744號公報中公開的半導體激光裝置中，對于橫向的端部(兩端部)以外的內側的半導體激光元件所接合的電極而言，設有在相鄰的半導體激光元件之間的區域突出的引線接合部，因此電極彼此的配置間隔增加與引線接合部的寬度相應的量。從而，在具有這樣的引線接合部的電極橫向反復排列的情況下，基臺的寬度增加，因此存在半導體激光裝置大型化這樣的問題。

發明內容

本發明的第一方面所涉及的半導體激光裝置具備：基臺；沿著第一方向配置在基臺的上表面上的多個電極；接合到多個電極各自的上表面上，且向與第一方向交叉的第二方向射出激光的多個半導體激光元件；相對于多個半導體激光元件在與第二方向相反的基臺的第三方向側配置有受光面的受光元件，多個電極中的配置在沿著第一方向及與第一方向相反的第四方向的端部以外的位置上的電極包括配置在受光元件的受光面上的引出用配線部分。

本發明的第二方面所涉及的光裝置具備第一方面所涉及的半導體激光裝置和控制半導體激光裝置的出射光的光學系統。

附圖說明

圖1是本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置的俯視圖。

圖2是在本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置中從放熱基臺拆下半導體激光元件的狀態下的俯視圖。

圖3是圖1的沿著910-910線的剖視圖。

圖4是圖1的沿著920-920線的剖視圖。

圖5是用于說明本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置的制造流程的俯視圖。

圖6是用于說明本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置的制造流程的俯視圖。

圖7是用于說明本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置的制造流程的俯視圖。

圖8是在本發明的第一實施方式的第一變形例的三波長半導體激光裝置中從放熱基臺拆下半導體激光元件的狀態下的俯視圖。

圖9是在本發明的第一實施方式的第二變形例的三波長半導體激光裝置中從放熱基臺拆下半導體激光元件的狀態下的俯視圖。

圖10是本發明的第二實施方式的三波長半導體激光裝置的俯視圖。

圖11是本發明的第二實施方式的三波長半導體激光裝置的從激光的出射方向觀察而得到的主視圖。

圖12是表示本發明的第三實施方式的光拾取裝置的結構的示意圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。

(第一實施方式)

首先，參照圖1～圖3，對本發明的第一實施方式的三波長半導體激光裝置100的結構進行說明。需要說明的是，三波長半導體激光裝置100是本發明的“半導體激光裝置”的一例。